--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 最低頻率(MHz) 960
- 最大頻率(MHz) 1,215
- 增益(分貝) 22.5
- 飽和度(dBm) 62.7
- PAE (%) 77.2
- 電壓(伏) 65
- Idq (毫安) 1,500
- 包裝類型 NI-1230(無耳)
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
Qorvo 的 QPD1025 是 SiC HEMT 上的 1800 W (P3dB) 分立式 GaN,工作頻率范圍為 0.96 至 1.215 GHz。封裝內(nèi)的輸入預(yù)匹配可簡(jiǎn)化外部電路板匹配并節(jié)省電路板空間。該器件采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)氣腔封裝,非常適合 IFF、航空電子設(shè)備和測(cè)試儀器。該器件可支持 CW 和脈沖操作。
產(chǎn)品規(guī)格
最低頻率(MHz) 960
最大頻率(MHz) 1,215
增益(分貝) 22.5
飽和度(dBm) 62.7
PAE (%) 77.2
電壓(伏) 65
Idq (毫安) 1,500
包裝類型 NI-1230(無耳)
主要特征
頻率范圍:0.96 至 1.215 GHz
輸出功率 (P 3dB 1 ):1862 瓦
線性增益:22.5 分貝
典型 PAE 3dB 1 : 77.2 %
工作電壓:65V
CW 和脈沖能力
注1:@ 1.0GHz 負(fù)載牽引
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