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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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ZXTN19020DG 低飽和 晶體管

型號: ZXTN19020DG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 類別 低飽和晶體管
  • 合規(guī)性 標(biāo)準(zhǔn)
  • 極性 NPN
  • VCEO, VCES 20
  • IC (A) 9
  • PD (W) 3
  • fT (兆赫) 160
  • RCE(飽和) (m 20

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZXTN19020DG

 產(chǎn)品簡介
DIODES 的 ZXTN19020DG 采用 SOT223 外形封裝的這種新型低飽和 NPN 晶體管具有極低的導(dǎo)通狀態(tài)損耗,使其非常適合用于 DC-DC 電路以及各種驅(qū)動和電源管理功能。

 

產(chǎn)品規(guī)格
類別    低飽和晶體管
合規(guī)性(只有汽車支持 PPAP) 標(biāo)準(zhǔn)
極性 NPN
VCEO, VCES (V) 20
IC (A)  9
ICM (A) 20
PD (W)  3
hFE(最小值) 300
hFE (@IC) (A) 0.1
h FE(最小 2) 130
hFE (@ IC2) (A) 9
VCE(sat) 最大值 (mV) 70
VCE (SAT) (@IC/IB) (A/mA) 1/10
VCE(sat)(最大 2)(mV) 80
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/40
fT (兆赫) 160
RCE(飽和) (mΩ) 20

 

主要特征
BVCEX>70伏
BVECO>4.5伏
bvco>20伏
IC=9A連續(xù)集電極電流
極低飽和電壓VCE(sat)<35mV@1A
RCE(sat)=20m?
互補(bǔ)PNP類型:ZXTN19020DG
完全無鉛且完全符合RoHS(注1和2)
不含鹵素和銻?!熬G色”裝置(注3)
符合AEC-Q101高可靠性標(biāo)準(zhǔn)

 

相關(guān)型號
ZXTN04120HFF
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