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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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SBRFP2M60P1Q 整流器 (SBR) 車(chē)用二極管

型號(hào): SBRFP2M60P1Q

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) SBRFP2M60P1Q
  • 名稱 2A 場(chǎng)鍍 SBR 場(chǎng)鍍超勢(shì)壘整流器
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 PowerDI®123

--- 產(chǎn)品詳情 ---

SBRFP2M60P1Q 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 SBRFP2M60P1Q 這種超級(jí)勢(shì)壘整流器 (SBR) 二極管非常適合需要超低阻塞模式的應(yīng)用。從而降低工作溫度并提高系統(tǒng)可靠性。采用緊湊型熱效率 PowerDI?123 封裝。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            SBRFP2M60P1Q
名稱            2A 場(chǎng)鍍 SBR 場(chǎng)鍍超勢(shì)壘整流器
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝            PowerDI?123

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive supports PPAP) Automotive
Configuration Single
MaximumAverageRectifiedCurrent IO(A) 2 A
Peak RepetitiveReverse VoltageVRRM (V) 60 V
Peak ForwardSurge CurrentIFSM (A) 50 A
Forward Voltage Drop VF (V) 0.52
@ IF (A) 2 A
Maximum ReverseCurrent IR (μA) 12 μA
@ VR (V) 60 V
Reverse Recovery Time trr (ns) 15 ns
TotalCapacitance CT (pF) 50 pF
EAS (mJ) 145 mJ

 

主要特征
降低超低正向壓降 (VF) 提高效率和降低運(yùn)行溫度
獲得專利的超級(jí)勢(shì)壘整流器 SBR? 技術(shù)
卓越的雪崩能力(參見(jiàn)最大額定值)
在高溫環(huán)境下具有出色的反向漏電 (IR) 穩(wěn)定性。提高在高溫操作中防止熱失控故障的可靠性
<1.1mm 封裝外形 – 薄型應(yīng)用的理想選擇

 

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