DMG4511SK4 互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMG4511SK4

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMG4511SK4
名稱互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 TO252-4L

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMG4511SK4 這款新一代 35V N + P 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(on)，同時(shí)保持卓越的開關(guān)性能。該器件非常適合直流風(fēng)扇、電池組和逆變器以及其他電源管理功能。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMG4511SK4
名稱互補(bǔ)對(duì)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 TO252-4L

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 35, 35 V
|VGS| (±V) 20, 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 13, 12 A
PD @TA = +25°C (W) 4.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 35, 45 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 65, 65 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3, 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.8, 9.5 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 18.7, 19.2 nC
CISS Typ (pF) 850, 985 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25, 25 V

主要特征
0.6mm輪廓–非常適合低輪廓應(yīng)用
PCB占地面積4mm2
低柵極閾值電壓

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