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企業(yè)號(hào)介紹

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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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DMG7410SFG 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMG7410SFG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMG7410SFG
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 POWERDI®3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMG7410SFG 

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMG7410SFG 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻(RDS(打開)),同時(shí)保持卓越的切換性能,使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌            DIODES
型號(hào)            DMG7410SFG
名稱            N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地            臺(tái)灣
封裝            POWERDI?3333-8

 

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 8 A
PD @TA = +25°C (W) 2.07 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 20 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 27 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 5.3 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.3 nC
CISS Typ (pF) 580 pF


主要特征
低RDS(ON)–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
小尺寸的熱效率封裝使密度最終產(chǎn)品
僅占SO-8板面積的33%較小的最終產(chǎn)品
100%UIS(雪崩)額定值
100%Rg測(cè)試


相關(guān)型號(hào)
DMG7410SFG
DMG7430LFG
DMG7430LFGQ
DMG8601UFG
DMG8822UTS
DMG8880LK3
DMG9926UDM
DMG9926USD
DMG9933USD
DMGD7N45SSD
DMHC10H170SFJ
DMHC3025LSD
DMHC3025LSDQ
DMHC4035LSD
DMHC4035LSDQ
DMHC6070LSD
DMHT10H032LFJ
DMHT3006LFJ
DMHT6016LFJ
DMN1001UCA10
DMN1002UCA6
DMN1003UCA6
DMN1003UFDE
DMN1004UFDF
DMN1004UFV
DMN1006UCA6
DMN1008UFDF
DMN1008UFDFQ

 

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