DMG9933USD 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMG9933USD

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMG9933USD
名稱(chēng) 雙 P 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 SO-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMG9933USD 這種MOSFET被設(shè)計(jì)為使導(dǎo)通電阻最小化同時(shí)保持卓越的切換性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMG9933USD
名稱(chēng) 雙 P 溝道增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 SO-8

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P+P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 75 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 110 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.45 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 6.5 nC
CISS Typ (pF) 608.4 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
快速切換速度
低輸入/輸出泄漏

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