DMHC10H170SFJ 互補(bǔ)增強(qiáng)模式 MOSFET 晶體管

Diodes DMHC10H170SFJ MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMHC10H170SFJ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMHC10H170SFJ
名稱 100V 互補(bǔ)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 V-DFN5045-12

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMHC10H170SFJ 這種新一代MOSFET設(shè)計(jì)用于最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)電阻（RDS（ON））同時(shí)保持優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
高效橋式整流器

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMHC10H170SFJ
名稱 100V 互補(bǔ)增強(qiáng)模式 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 V-DFN5045-12

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity 2N2P
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.3, 2.9 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 250, 160 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 300, 200 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1, 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 3, 3 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 17.5, 9.7 nC
CISS Typ (pF) 1239, 1167 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

主要特征
低輸入電容
電源應(yīng)用的高BVDs額定值
低輸入/輸出泄漏

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