DMN1001UCA10 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN1001UCA10

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMN1001UCA10
名稱 12V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 X2-TSN1820-10

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN1001UCA10這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RSS(ON))，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN1001UCA10
名稱 12V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 X2-TSN1820-10

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 20 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3.55 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 6.9 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.35 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 29 (@4V) nC
CISS Typ (pF) 2865 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V

主要特征
CSP 封裝尺寸 1.84mm × 1.96mm
薄型高度 = 0.30mm（典型值）
柵極ESD保護(hù)

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