--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 品牌 DIODES
- 型號 DMN1003UFDE
- 名稱 12V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
- 產(chǎn)地 臺灣
- 封裝 U-DFN2020-6
--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN1003UFDE這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RSS(ON)),同時保持卓越的開關(guān)性能,使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMN1003UFDE
名稱 12V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 U-DFN2020-6
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 22 A
PD @TA = +25°C (W) 2.2 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 3 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 4 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 27 nC
CISS Typ (pF) 2551 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V
主要特征
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻
ESD保護(hù)柵極
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