DMN1004UFDF 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN1004UFDF

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMN1004UFDF
名稱 12V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN1004UFDF這種新一代MOSFET設(shè)計(jì)用于最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)電阻（RDS（ON））同時(shí)保持優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN1004UFDF
名稱 12V N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 U-DFN2020-6

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 7 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 26 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 47 nC
CISS Typ (pF) 2385 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V

主要特征
0.6 毫米輪廓 – 薄型應(yīng)用的理想選擇
PCB 占地面積 4mm 2
低柵極閾值電壓
低導(dǎo)通電阻
ESD 保護(hù)高達(dá) 8kV

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