DMN1019UVT 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN1019UVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMN1019UVT
名稱 N溝道MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN1019UVT這這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是最大限度地降低現(xiàn)場(chǎng)電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能性能，使其成為高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN1019UVT
名稱 N溝道MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 TSOT26

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 10.7 A
PD @TA = +25°C (W) 1.73 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 10 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 14 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 0.8 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 28 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 50.4 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 2588 pF

主要特征
低導(dǎo)通電阻
ESD保護(hù)門(mén)

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