DMN1025UFDB 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN1025UFDB

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMN1025UFDB
名稱 N溝道MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 U-DFN2020-6

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN1025UFDB這種MOSFET被設(shè)計(jì)為最小化導(dǎo)通電阻（RDS（ON）），同時(shí)保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應(yīng)用。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN1025UFDB
名稱 N溝道MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 U-DFN2020-6

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N+N
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 10 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.9 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 25 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 30 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 38 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.6 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 23.1 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 917 pF

主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
薄型，最大高度0.6mm
ESD保護(hù)門

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