DMN10H099SFG 溝道增強型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號： DMN10H099SFG

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號 DMN10H099SFG
名稱 100V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地臺灣
封裝 POWERDI3333-8

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN10H099SFG這種MOSFET被設計為使導通電阻最小化（RDS（打開）），同時保持卓越的切換性能，使其非常適合高效電源管理應用。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMN10H099SFG
名稱 100V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地臺灣
封裝 POWERDI3333-8

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 4.2 A
PD @TA = +25°C (W) 2.31 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 80 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 99 (@6V) mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 25.2 nC
CISS Typ (pF) 1127 pF

主要特征
低RDS（ON）–確保最大限度地減少狀態(tài)損耗
小尺寸的熱效率封裝使密度最終產(chǎn)品
僅占SO-8板面積的33%較小的最終產(chǎn)品

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