DMN10H170SVT 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號： DMN10H170SVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號 DMN10H170SVT
DMN10H170S N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺灣
封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN10H170SVT這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (RDS(ON))，同時保持卓越的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMN10H170SVT
名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺灣
封裝 TSOT26

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 2.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 160 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 200 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.9 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 9.7 nC
CISS Typ (pF) 1167 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V

主要特征
低柵極閾值電壓
低輸入電容
開關(guān)速度快
完全無鉛且完全符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
不含鹵素和銻?！熬G色”設(shè)備

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立年電子科技

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