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企業(yè)號(hào)介紹

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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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DMN10H220LQ 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

型號(hào): DMN10H220LQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) DMN10H220LQ
  • 名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT23

--- 產(chǎn)品詳情 ---

DMN10H220LQ

產(chǎn)品簡介
DIODES 的 DMN10H220LQ這種MOSFET設(shè)計(jì)用于滿足汽車應(yīng)用。它符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),由PPAP,非常適合用于:
負(fù)載開關(guān)

 

產(chǎn)品規(guī)格 
品牌              DIODES
型號(hào)              DMN10H220LQ
名稱              N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地               臺(tái)灣
封裝               SOT23


產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 100 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.3 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 220 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 250 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 1 V
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 4.1 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 8.3 nC
CISS Typ (pF) 401 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25 V


主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
開關(guān)速度快
低輸入/輸出泄漏


相關(guān)型號(hào)
DMN1021UCA4
DMN1025UFDB
DMN1029UFDB
DMN1032UCP4
DMN1045UFR4
DMN1053UCP4
DMN1054UCB4
DMN10H099SFG
DMN10H099SK3
DMN10H100SK3
DMN10H120SE
DMN10H120SFG
DMN10H170SFDE
DMN10H170SFG
DMN10H170SFGQ
DMN10H170SK3
DMN10H170SK3Q
DMN10H170SVT
DMN10H170SVTQ
DMN10H220L
DMN10H220LDV
DMN10H220LE
DMN10H220LFDF
DMN10H220LFVW
DMN10H220LK3
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DMN10H220LQ
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