產(chǎn)品簡介
DIODES 的DMN2009UFDF 這款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低通態(tài)電阻 (R DS( ON ) )，同時保持卓越的開關性能，使其成為高效電源管理應用的理想選擇。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號 DMN2009UFDF
名稱 20V N 溝道增強型 MOSFET
產(chǎn)地 臺灣
封裝 U-DFN2020-6 (Type F)
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 12.8 A
PD @TA = +25°C (W) 1.7 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 9 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 13 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.5 V
|VGS(TH)| Max (V) 1.4 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 12.7 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 27.9 nC
CISS Typ (pF) 1083 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V
主要特征
6 毫米輪廓 – 薄型應用的理想選擇
PCB 占地面積 4mm 2
低柵極閾值電壓
低導通電阻
相關型號
DMN2005UFG
DMN2005UFGQ
DMN2005UPS
DMN2008LFU
DMN2009LSS
DMN2009UCA4
DMN2009UFDF
DMN2009USS
DMN2011UFDE
DMN2011UFDF
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DMN2013UFDE
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DMN2015UFDE
DMN2015UFDF
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DMN2016LHAB
DMN2016UFX
DMN2016UTS
DMN2019UTS
DMN2020LSN
DMN2020UFCL
DMN2022UFDF
DMN2022UNS
DMN2023UCB4
DMN2024U
