DMN2028UVT 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 晶體管

Diodes MOSFET 晶體管

型號(hào)： DMN2028UVT

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

品牌 DIODES
型號(hào) DMN2028UVT
名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 TSOT26

--- 產(chǎn)品詳情 ---

產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN2028UVT 這種新一代MOSFET設(shè)計(jì)用于最大限度地減少導(dǎo)通狀態(tài)電阻（RDS（ON））并且仍然保持優(yōu)異的開關(guān)性能，使其成為高效電源管理應(yīng)用的理想選擇。

產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN2028UVT
名稱 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地臺(tái)灣
封裝 TSOT26

產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.2 A
PD @TA = +25°C (W) 1.6 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 24 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 32 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 1.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 8.3 nC
CISS Typ (pF) 856 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

主要特征
低輸入電容
低導(dǎo)通電阻
開關(guān)速度快

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立年電子科技

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