1000 V、120 mΩ、22 A、TO-247-4 封裝、第 3 代分立 SiC MOSFET
Wolfspeed 提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，針對電動汽車充電系統(tǒng)、工業(yè)電源和可再生能源系統(tǒng)等快速開關設備進行了優(yōu)化。
1000 V 碳化硅 MOSFET 通過提供具有低導通電阻、極低輸出電容和低源電感的獨特器件，實現(xiàn)低開關損耗和低傳導損耗的完美結合，解決了許多電源設計挑戰(zhàn)。與硅基解決方案相比，Wolfspeed 碳化硅功率器件技術可提高系統(tǒng)功率密度、提高開關頻率、減少元件數(shù)量以及縮小電感器、電容器、濾波器和放大器、變壓器等元件的尺寸。
特征
- 整個工作溫度范圍內 Vbr 最低為 1kV（無需降額）
- 具有低輸出電容的高速開關
- 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
- 易于并聯(lián)且驅動簡單
- 開爾文源極引腳可減少開關損耗和振鈴
好處
- 降低總體系統(tǒng)成本
- 提高系統(tǒng)效率，同時減小系統(tǒng)尺寸
- 組件數(shù)量減少 30%，同時功率密度提高 3 倍以上，輸出功率提高 33%
- 啟用硬開關拓撲
應用領域
- 工業(yè)電源
- 可再生能源系統(tǒng)
- 電動汽車快速充電系統(tǒng)
- 電動汽車車載充電
