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高功率 RF GaN on SiC HEMT 620 W，48 V，2496 – 2690 MHz
GTRB267008FC 是一款 620 瓦 (P4dB) GaN on SiC 高電子遷移率晶體管 (HEMT)，設計用于 Doherty 蜂窩功率放大器應用。它在 2496 MHz 至 2690 MHz 工作頻段內具有高線性化效率，并采用帶無耳法蘭的耐熱增強型封裝。
特征
- 碳化硅基氮化鎵 HEMT 技術
- 典型脈沖 CW 性能，2690 MHz，48 V，10 μs 脈沖寬度，10% 占空比，組合輸出
- P3dB = 620 W 時的輸出功率
- P4dB 時的效率 = 72%
- 高線性化效率
- 人體模型 1C 級（根據 ANSI/ESDA/JEDEC JS-001）
- 無鉛且符合 RoHS 標準
