產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMN3032LE 這種新一代MOSFET的設(shè)計(jì)目的是最大限度地降低狀態(tài)電阻（RDS（on）），同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能，是高效電源管理的理想選擇應(yīng)用程序。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMN3032LE
名稱(chēng) N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 SOT223
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 5.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.8 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 29 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 35 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2 V
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 11.3 nC
CISS Typ (pF) 498 pF
主要特征
低導(dǎo)通電阻
低輸入電容
切換速度快
低輸入/輸出泄漏
相關(guān)型號(hào)
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DMN3025LFG
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DMN3028L
DMN3028LQ
DMN3029LFG
DMN3030LSS
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DMN3032LFDBQ
DMN3032LFDBWQ
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DMN3033LSD
DMN3033LSDQ
DMN3033LSN
DMN3033LSNQ
DMN3035LWN
