產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的 DMTH3004LFGQ 這款新一代 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET 旨在最大限度地減少 RDS(ON)，同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。該器件非常適合用于筆記本電腦電池電源管理和負(fù)載開(kāi)關(guān)。
產(chǎn)品規(guī)格
品牌 DIODES
型號(hào) DMTH3004LFGQ
名稱(chēng) 30V 175°C N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
產(chǎn)地 臺(tái)灣
封裝 PowerDI?3333-8
產(chǎn)品參數(shù)
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 16 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 15 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 75 A
PD @TA = +25°C (W) 2.5 W
PD @TC = +25°C (W) 50 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 5.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 8.5 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 20 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 44 nC
CISS Typ (pF) 2370 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V
主要特征
額定溫度為 +175°C – 高環(huán)境溫度環(huán)境的理想選擇
100% 非鉗位感應(yīng)開(kāi)關(guān)（生產(chǎn)中測(cè)試）——確保更可靠、更穩(wěn)健的最終應(yīng)用
低 RDS(ON) – 確保最小化通態(tài)損耗
優(yōu)秀的 Qgd x RDS(ON) 產(chǎn)品 (FOM)
小外形熱效率封裝可實(shí)現(xiàn)更高密度的最終產(chǎn)品
僅占 SO-8 所占電路板面積的 33%，從而實(shí)現(xiàn)更小的最終產(chǎn)品
100% UIS（雪崩）評(píng)級(jí)
完全無(wú)鉛且完全符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)
不含鹵素和銻?！熬G色”設(shè)備
符合 AEC-Q101 高可靠性標(biāo)準(zhǔn)
PPAP 能力
相關(guān)型號(hào)
DMTH3004LFG
DMTH3004LFGQ
DMTH3004LK3
DMTH3004LK3Q
DMTH3004LPS
DMTH3004LPSQ
DMTH31M7LPSQ
DMTH32M5LPS
DMTH32M5LPSQ
DMTH4001STLW
DMTH4001STLWQ
DMTH4002SCTB
DMTH4002SCTBQ
DMTH4004LK3
DMTH4004LK3Q
DMTH4004LPS
DMTH4004LPSQ
DMTH4004SCTB
DMTH4004SCTBQ
DMTH4004SK3
DMTH4004SK3Q
DMTH4004SPS
DMTH4004SPSQ
DMTH4005SCT
DMTH4005SK3
DMTH4005SK3Q
DMTH4005SPS
DMTH4005SPSQ
