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射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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BCP5616TQ 80V PNP中功率 晶體管

型號(hào): BCP5616TQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) BCP5616TQ
  • 名稱 80V PNP中功率 晶體管
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT223

--- 產(chǎn)品詳情 ---

BCP5616TQ  

 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的BCP5616TQ這種雙極結(jié)型晶體管(BJT)設(shè)計(jì)用于滿足汽車應(yīng)用的要求。


產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    BCP5616TQ
名稱                    80V PNP中功率 晶體管
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SOT223

 

產(chǎn)品參數(shù)
Category Medium Power Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN
VCEO, VCES (V) 80
IC (A) 1
ICM (A) 2
PD (W) 2.5
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.15
hFE(Min 2) 40
hFE (@ IC2) (A) 0.5
VCE(sat) Max (mV) 500
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.5/50
VCE(sat) (Max.2) (mV) N/A
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) N/A
fT (MHz) 150
RCE(sat) (mΩ) N/A


主要特征
BVCEO > 80V
IC = 1A 高連續(xù)集電極電流
ICM = 2A 峰值脈沖電流
2W 功耗
低飽和電壓 VCE(SAT) <500mV @ 0.5A

 


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