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企業(yè)號(hào)介紹

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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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ZX5T951GQ 60V PNP 中功率 低飽和 晶體管

型號(hào): ZX5T951GQ

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 品牌 DIODES
  • 型號(hào) ZX5T951GQ
  • 名稱 60V PNP 中功率 低飽和 晶體管
  • 產(chǎn)地 臺(tái)灣
  • 封裝 SOT223

--- 產(chǎn)品詳情 ---

ZX5T951GQ  

 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
DIODES 的ZX5T951GQ這種雙極結(jié)型晶體管(BJT)設(shè)計(jì)用于滿足汽車應(yīng)用的嚴(yán)格要求。


產(chǎn)品規(guī)格  
品牌                    DIODES
型號(hào)                    ZX5T951GQ
名稱                    60V PNP 中功率 低飽和 晶體管
產(chǎn)地                    臺(tái)灣
封裝                    SOT223

 

產(chǎn)品參數(shù)
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity PNP
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 6
ICM (A) 15
PD (W) 3
hFE (Min) 100
hFE (@ IC) (A) 0.01
hFE(Min 2) 100
hFE (@ IC2) (A) 2
VCE(sat) Max (mV) 30
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.1/10
VCE(sat) (Max.2) (mV) 130
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 2/200
fT (MHz) 120
RCE(sat) (mΩ) 40
Spice Model N/A

 

主要特征
BVCEO > -60V
IC = -5.5A 高連續(xù)集電極電流
ICM = -15A 峰值脈沖電流
低飽和電壓 VCE(sat) < -70mV @ -1A
RSAT = 39mΩ,可實(shí)現(xiàn)低等效導(dǎo)通電阻
hFE 指定高達(dá) -10A,可實(shí)現(xiàn)高增益保持
互補(bǔ) NPN 類型:ZX5T851GQ

 

相關(guān)型號(hào)
FZT855Q
MJD2873Q
MJD31CHQ
MJD31CUQ
MJD32CQ
MJD32CUQ
MJD41CQ
MJD42CQ
MMBT5551Q
MMBTH10Q
MMDT2222VQ
MMDT2227Q
MMDT3904Q
MMDT3906Q
MMDT3946Q
MMDT4401Q
MMDT5401Q
MMDT5451Q
MMST3904Q
MMSTA06Q
MMSTA56Q
ZX5T1951GQ
ZX5T851GQ
ZX5T951GQ
ZXT10P20DE6Q
ZXT951KQ
FES1DEQ
FES2DEQ
FRS1MEQ
MURS160Q
RS1JDFQ
RS1MDFQ
RS1MEWFQ
RS1MSWFMQ
US1DWFQ
US1JDFQ
US1MDFQ
US2JDFQ
ZXGD3003E6Q
ZXGD3004E6Q
ZXGD3006E6Q

 

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