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射頻微波器件、組件一站式服務 國產替代選型

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FLM7179-4F C波段 內部匹配 FET

型號: FLM7179-4F

--- 產品參數 ---

  • 廠家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型號 FLM7179-4F
  • 名稱 High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
  • 產地 日本
  • 封裝 IB

--- 產品詳情 ---

FLM7179-4F

型號簡介
Sumitomo的FLM7179-4F是一種功率GaAs FET,內部匹配標準通信頻帶,以在50歐姆系統(tǒng)。SEDI嚴格的質量保證計劃確??煽啃院鸵恢碌男阅?。


型號規(guī)格  
廠家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型號                    FLM7179-4F
名稱                    High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管
產地                    日本
封裝                    IB
 

型號參數
高輸出功率:P1dB B36.5dBm(型號)
高增益:G1dB B9.0dB(類型)
高PAE:hadd p35%(類型)
低IM3=-46dbc@po=25.5dBm
寬帶:7.1至7.9GHz
阻抗匹配鋅/鹽,50歐姆
密封包裝


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