--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 廠家 Sumitomo Electric Eudyna
- 型號 EGN21C105I2D
- 名稱 用于基站的功率GaN>GaN HEMT
- 產(chǎn)地 日本
- 封裝 SMT
--- 產(chǎn)品詳情 ---

型號簡介
Sumitomo的GaN HEMT EGN21C105I2D 為50V工作的高功率L波段放大器提供了高效率、易于匹配、更大的一致性和寬帶寬,并為您提供更高的增益。
此新產(chǎn)品非常適合用于2.14GHz W-CDMA和LTE設計要求,因為它提供了高增益、長期可靠性和易用性。
型號規(guī)格
廠家 Sumitomo Electric Eudyna
型號 EGN21C105I2D
名稱 用于基站的功率GaN>GaN HEMT
產(chǎn)地 日本
封裝 SMT
型號參數(shù)
高壓操作:VDS=50V
高功率:50.3dBm(典型值)@Psat
高效率:70%(典型值)@Psat
功率增益:18dB(典型值)@f=2.14GHz
經(jīng)驗證的可靠性
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