直接封裝概念非常適合同時要求卓越性能、質(zhì)量、耐用性和長久可靠性的汽車應(yīng)用。與此同時，IR優(yōu)化了DirectFET概念，結(jié)果造就了我們在今年初推出、全面汽車認可的DirectFET2產(chǎn)品線。有關(guān)的汽車芯片由一個小外殼包圍，讓的客戶可以為其電子控制單元和功率級引入非常創(chuàng)新的設(shè)計概念。這些DirectFET2開關(guān)能夠通過不同的方法散熱，包括從器件的上方散熱，免除了組件要通過PCB，甚至利用ECU外殼兩側(cè)進行冷卻的需要，也不用藉著在ECU設(shè)計里的其它散熱部分來降低溫度?？蛻粢蚨缮a(chǎn)專有的系統(tǒng)解決方案，從而在其它采用標準封裝零件和鍵合線的競爭對中脫穎而出。

圖3：汽車用DirectFET2的各種創(chuàng)新散熱方法選擇

　　IR將其無鍵合線策略伸延到所有汽車用的功率開關(guān)。其最新一代的IGBT也具備IR專有的正面金屬可焊技術(shù)，提供完全沒有鍵合線的芯片連接，也為采用IGBT和二極管的高電壓系統(tǒng)實現(xiàn)了雙面散熱概念。據(jù)我所知，IR是首家以裸芯片搭配正面金屬可焊技術(shù)來推出商用汽車認可IGBT的公司，使擁有硅處理能力的客戶可以建立和設(shè)計它們自己的雙面散熱無鍵合線功率模塊或功率級。有了IR的正面金屬可焊器件，平常無法接觸專有硅技術(shù)的系統(tǒng)設(shè)計師，現(xiàn)在也可享受“無線汽車電源管理”的世界。

　　除了裸芯片，IR亦將提供專有的芯片載體解決方案。該方案附有正面金屬可焊IGBT，來支持那些生產(chǎn)線沒有能力處理裸芯片的客戶。最先進的高性能IGBT是以非常纖薄的晶圓制造，厚度僅為60到70微米。這些硅晶圓既薄且具彈性，就如紙張一樣，所以必須使用極為專業(yè)的程序和昂貴的器材去處理。很多第一級和第二級的系統(tǒng)供應(yīng)商都不愿意投資這種昂貴的器材，也不想經(jīng)歷需要長久學(xué)習(xí)才會熟練的纖薄芯片處理過程，更不希望要承受薄芯片處理期間非常高的良率耗損。

　　IR推出的這種貼在專有芯片載體上的新款汽車功率開關(guān)將會把上述顧慮一掃而空。我們將提供預(yù)先貼上IR大型芯片 (IGBT及MOSFET) 的標準化專有芯片載體。它們隨后會成為客戶電源模塊的一部分，比方說，我們的DirectFET2金屬外殼變成PCB電路的一部分，并且讓每一個人都可以利用最精密的IGBT和薄芯片，而不用使用薄芯片器材。IR作為硅技術(shù)專家，將負責(zé)最困難的部分，也就是把薄芯片制成基片的制造過程，還有在裸芯片和晶圓層面的開關(guān)最后測試，都會一一解決。只要利用IR的汽車用正面金屬可焊產(chǎn)品線，即使標準的安裝機械和焊接器材也將足以應(yīng)付非常先進的功率模塊或ECU概念。

　　對我們的客戶和系統(tǒng)設(shè)計師來說，新器件的最大好處并不單單在電力性能上的改進，更好的開關(guān)效能、經(jīng)過優(yōu)化的雙面散熱 (我們能夠增加最少50%的整體熱交換面積、減少35%的RthJC，以及提高大約25%的硅電流密度) ，還有簡單的制造過程都是重要的優(yōu)點。另一個非凡的效益，將在與應(yīng)用相關(guān)的系統(tǒng)布置和應(yīng)用尺寸，以及在汽車的壽命要求層面上實現(xiàn)。當(dāng)鍵合線在相對耐用的DBC模塊中或功率周期壓力中的首個失效模式中脫離，采用IR專有正面金屬可焊技術(shù)的無鍵合線IGBT將有機會將功率周期能力延展一個量級。

圖4：在專有客戶陶瓷封裝中，鍵合線IGBT與無鍵合線雙面焊接IGBT的功率周期能效比較。