開槽地平面的串?dāng)_

圖5.8中描述的串?dāng)_情況是一個(gè)典型的布局設(shè)計(jì)中錯(cuò)誤，稱為地槽。當(dāng)一個(gè)布線設(shè)計(jì)工程師把正常的布線層的

2010-06-10 標(biāo)簽：串?dāng)_ 2k 0

端接器中的串?dāng)_

圖6.16中，相鄰的端接電路會(huì)在電路走線之間交叉耦合信號(hào)能量。這種交叉耦合比通常發(fā)生在相鄰傳輸線之間的

2010-06-11 標(biāo)簽：串?dāng)_端接器 2k 0

完整地平面的串?dāng)_

兩個(gè)導(dǎo)體之間的串?dāng)_取決于它們之間的互感和互容。通常在數(shù)字設(shè)計(jì)中，感性串?dāng)_相當(dāng)于或大于容性串?dāng)_，因此在這里開始我們主要討論感性耦合的機(jī)制。

2010-06-10 標(biāo)簽：串?dāng)_ 2k 0

平行交叉地平面的串?dāng)_

圖5.10中所示的電源和地的柵格方式，節(jié)約了印刷電路板的面積，但其代價(jià)卻是增加了互感。這種方法不需要單獨(dú)的電源的地層，你可以在同一層像連接電源和地一樣

2010-06-10 標(biāo)簽：串?dāng)_地平面 1.9k 0

指狀電源和地線的串?dāng)_

圖5.11示意了電源和地線的指狀布局，與電源和地的柵格類似，容許一些互感的耦合，但是節(jié)省了更多的線路板面積。

2010-06-10 標(biāo)簽：串?dāng)_ 1.8k 0

互感--連接器如何引起串?dāng)_

圖9.1中舉例說明了工作中的電流環(huán)的基本互感耦合。電流離開門電路A，經(jīng)由信號(hào)返回路徑X流回源端。由于電流路徑X、Y和Z相互重疊，路徑X的磁場將在信號(hào)路徑Y(jié)和Z

2010-06-13 標(biāo)簽：連接器互感串?dāng)_ 1.8k 0

如何減少PCB板內(nèi)的串?dāng)_

如何減少PCB板內(nèi)的串?dāng)_

2023-11-24 標(biāo)簽：PCB板信號(hào)串?dāng)_ 1.7k 0

為什么“負(fù)壓夠深”是解決SiC MOSFET串?dāng)_問題的最有力措施

為什么“負(fù)壓夠深”是解決SiC MOSFET串?dāng)_問題的最有力措施：結(jié)合基本半導(dǎo)體(BASIC Semiconductor)器件的深度分析 傾佳電子（Ch...

2025-11-17 標(biāo)簽：串?dāng)_SiC MOSFET 1.6k 0

干貨 | 在高速PCB設(shè)計(jì)時(shí)，打孔包地能否解決串?dāng)_問題？

工程界常常使用保護(hù)地線進(jìn)行隔離，來抑制信號(hào)間的相互干擾。的確，保護(hù)地線有時(shí)能夠提高信號(hào)間的隔離度，但是保護(hù)地線并不是總是有效的，有時(shí)甚至反而會(huì)使干擾更加...

2023-10-08 標(biāo)簽：PCB地線串?dāng)_ 1.5k 0

超深亞微米設(shè)計(jì)中串?dāng)_的影響及避免

分析了在超深亞微米階段，串?dāng)_對(duì)高性能芯片設(shè)計(jì)的影響，介紹了消除串?dāng)_影響的方法。    關(guān)鍵詞：串?dāng)_，布線，關(guān)鍵路徑，

2009-05-05 標(biāo)簽：串?dāng)_ 1.5k 0

包地與串?dāng)_

工程界常常使用保護(hù)地線進(jìn)行隔離，來抑制信號(hào)間的相互干擾。的確，保護(hù)地線有時(shí)能夠提高信號(hào)間的隔離度，但是保護(hù)地線并不是總是有效的，有時(shí)甚至反而會(huì)使干擾更加...

2020-03-30 標(biāo)簽：串?dāng)_GND 1.2k 0

激光雷達(dá)為什么會(huì)出現(xiàn)串?dāng)_的問題？

[首發(fā)于智駕最前沿微信公眾號(hào)]自動(dòng)駕駛技術(shù)自提出以來，激光雷達(dá)就是非常重要的感知硬件，即便到現(xiàn)如今很多技術(shù)方案開始傾向于純視覺時(shí)，依舊有很多的車企堅(jiān)定地...

2025-11-04 標(biāo)簽：串?dāng)_激光雷達(dá)自動(dòng)駕駛 885 0