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標(biāo)簽 > 二極管
二極管,(英語:Diode),電子元件當(dāng)中,一種具有兩個電極的裝置,只允許電流由單一方向流過,許多的使用是應(yīng)用其整流的功能。而變?nèi)荻O管(Varicap Diode)則用來當(dāng)作電子式的可調(diào)電容器。
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射頻環(huán)形器是一種非互易的多端口無源器件,在現(xiàn)代無線通信、雷達(dá)及測試系統(tǒng)中扮演著不可或缺的角色。其核心功能在于能夠控制射頻信號的傳播方向,使信號僅在端口間...
STGSH80HB65DAG汽車級IGBT技術(shù)深度解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGSH80HB65DAG 650V 80A HB系列IGBT具有兩個IGBT和二極管,采用緊湊、堅固的表面貼裝...
?DRV8804四通道低邊驅(qū)動IC技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8804提供具有過流保護(hù)功能的4通道低側(cè)驅(qū)動器。該器件具有內(nèi)置二極管,用于箝位感性負(fù)載產(chǎn)生的關(guān)斷瞬變,可用于驅(qū)動單極步進(jìn)電機(jī)、直流電機(jī)、繼電器、...
2025-10-20 標(biāo)簽:繼電器二極管步進(jìn)電機(jī) 645 0
?DRV8805單極性步進(jìn)電機(jī)驅(qū)動IC技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8805為驅(qū)動單極步進(jìn)電機(jī)提供了集成解決方案。它 包括四個具有過流保護(hù)的低側(cè)驅(qū)動器,并提供內(nèi)置二極管進(jìn)行箝位 電機(jī)繞組產(chǎn)生的關(guān)斷瞬變。 使...
2025-10-20 標(biāo)簽:二極管步進(jìn)電機(jī)SOIC 695 0
?DRV8803四通道低邊驅(qū)動器IC技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8803提供具有過流保護(hù)功能的4通道低側(cè)驅(qū)動器。該器件具有內(nèi)置二極管,用于箝位感性負(fù)載產(chǎn)生的關(guān)斷瞬變,可用于驅(qū)動單極步進(jìn)電機(jī)、直流電機(jī)、繼電器、...
?DRV8806 四通道低邊驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8806提供具有過流保護(hù)功能的 4 通道低側(cè)驅(qū)動器。它有 內(nèi)置二極管,用于箝位感性負(fù)載產(chǎn)生的關(guān)斷瞬變,可用于驅(qū)動 單極步進(jìn)電機(jī)、直流電機(jī)、繼電器...
2025-10-20 標(biāo)簽:二極管電磁閥步進(jìn)電機(jī) 558 0
DRV8860 38-V 8通道串行接口低側(cè)驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
該DRV8860提供具有過流保護(hù)的 8 通道低側(cè)驅(qū)動器和 開路/短路負(fù)載檢測。它具有內(nèi)置二極管,可鉗位由 感性負(fù)載,可用于驅(qū)動單極步進(jìn)電機(jī)、直流電機(jī)、繼...
2025-10-17 標(biāo)簽:二極管過流保護(hù)步進(jìn)電機(jī) 843 0
STGSH50M120D IGBT模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT(帶二極管)在半橋拓?fù)渲屑闪?個IGBT和二極管。 ...
?DRV8300U 三相BLDC柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8300U是100V三半橋柵極驅(qū)動器,能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該DRV8300UD使用集成的自舉二極管和用于高側(cè)MOSFET的外...
?DRV8351-SEP 汽車級三相BLDC柵極驅(qū)動器技術(shù)文檔總結(jié)
DRV8351-SEP是一款三相半橋柵極驅(qū)動器,能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自舉二極管和用于高端 MOS...
通道ESD器件可采用單通道和多通道配置。根據(jù)應(yīng)用的不同,多通道器件可實現(xiàn)更小的解決方案尺寸并節(jié)省布板空間,因為它將多個單通道器件整合在一起。相反,單通道...
在先進(jìn)的反向?qū)ń^緣柵雙極晶體管(RCIGBT)中,低導(dǎo)通電壓降(Vce(sat))和集成二極管正向電壓(VF)對于有效減少導(dǎo)通損耗至關(guān)重要。
2025-10-10 標(biāo)簽:二極管意法半導(dǎo)體IGBT 2.5k 0
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