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標(biāo)簽 > 光刻工藝
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虹科技術(shù)|半導(dǎo)體制造工藝中的UV-LED光源
半導(dǎo)體行業(yè)借助紫外光譜范圍(i 線:365 nm、h線:405 nm和g線:436 nm)中的高功率輻射在各種光刻、曝光和顯影工藝中創(chuàng)建復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu)
MEMS制造領(lǐng)域中光刻O(píng)verlay的概念
在 MEMS(微機(jī)電系統(tǒng))制造領(lǐng)域,光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay(套刻精度),則是衡量光刻機(jī)將...
功率半導(dǎo)體分立器件的應(yīng)用十分廣泛,幾乎覆蓋了所有的電子制造業(yè),傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域包括消費(fèi)電子、網(wǎng)絡(luò)通信、工業(yè)電機(jī)等。近年來(lái),新能源汽車(chē)及充電系統(tǒng)、軌道交通、智...
2023-05-26 標(biāo)簽:分立器件SiC功率半導(dǎo)體 1.9k 0
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
中國(guó)科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國(guó)家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對(duì)先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開(kāi)設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
3D 共聚焦顯微鏡 | 芯片制造光刻工藝的表征應(yīng)用
光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟,其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下,光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí),傳統(tǒng)檢測(cè)...
束流消除器:兩個(gè)平行板電極之間的直流偏置(~42 v)是否垂直于電子路徑,使電子偏離軸,從而“轉(zhuǎn)動(dòng)”關(guān)閉/阻塞/被下面的孔所覆蓋。
在集成電路生產(chǎn)過(guò)程中,晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見(jiàn)但復(fù)雜的問(wèn)題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因,因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每...
2025-07-09 標(biāo)簽:晶圓場(chǎng)集成電路光刻工藝 1k 0
沐渥科技:光罩盒氮?dú)夤竦奶攸c(diǎn)和注意事項(xiàng)
光罩是半導(dǎo)體制造中光刻工藝所使用的圖形轉(zhuǎn)移工具或母版,它承載著設(shè)計(jì)圖形,通過(guò)光刻過(guò)程將圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上,再經(jīng)過(guò)刻蝕等步驟轉(zhuǎn)移到襯底上,是集成電路、微電...
2026-01-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體制造光刻工藝 279 0
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