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標簽 > 光刻技術
隨著半導體技術的發(fā)展,光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小了2~3個數(shù)量級(從毫米級到亞微米級),已從常規(guī)光學技術發(fā)展到應用電子束、 X射線、微離子束、激光等新技術;使用波長已從4000埃擴展到 0.1埃數(shù)量級范圍。光刻技術成為一種精密的微細加工技術。
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光刻工藝流程示意圖:半導體制造的核心環(huán)節(jié)
光刻材料一般特指光刻膠,又稱為光刻抗蝕劑,是光刻技術中的最關鍵的功能材料。這類材料具有光(包括可見光、紫外光、電子束等)反應特性,經(jīng)過光化學反應后,其溶...
集成電路制造關鍵裝備要求零部件材料具有高純度、高致密度、高強度、高彈性模量、高導熱系數(shù)和低熱膨脹系數(shù)等特點,且且結構件要具有極高的尺寸精度和結構復雜性,...
直接成像(DI)是指計算機將電路設計圖形轉(zhuǎn)換為機器可識別的圖形數(shù)據(jù),并由計算機控制光束調(diào)制器實現(xiàn)圖形的實時顯示,再通過光學成像系統(tǒng)將圖形光束聚焦成像至已...
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