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標(biāo)簽 > 光刻機(jī)
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電鍍技術(shù)應(yīng)用廣泛。電鍍技術(shù)是現(xiàn)代微電子制造中的重要技術(shù),廣泛應(yīng)用于PCB制造、IC封裝等領(lǐng)域
2023-08-24 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器IC封裝電解液 2.1k 0
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 2.1k 0
集成電路制造關(guān)鍵裝備要求零部件材料具有高純度、高致密度、高強(qiáng)度、高彈性模量、高導(dǎo)熱系數(shù)和低熱膨脹系數(shù)等特點,且且結(jié)構(gòu)件要具有極高的尺寸精度和結(jié)構(gòu)復(fù)雜性,...
提到CPU性能,大部分同學(xué)想到的都是CPU利用率,這個指標(biāo)確實應(yīng)該首先被關(guān)注。但是除了利用率之外,還有很容易被人忽視的指標(biāo),就是指令的運行效率。如果運行...
中國科學(xué)院大學(xué)集成電路學(xué)院是國家首批支持建設(shè)的示范性微電子學(xué)院。為了提高學(xué)生對先進(jìn)光刻技術(shù)的理解,本學(xué)期集成電路學(xué)院開設(shè)了《集成電路先進(jìn)光刻技術(shù)與版圖設(shè)...
EUV光刻技術(shù)出現(xiàn)新的挑戰(zhàn):3nm節(jié)點的金屬間距約為22nm
22 nm 節(jié)距quasar illumination的較小部分使得最低衍射級避免了遮擋可以安全使用,但填充的pupil不到 20%,這再次意味著額外的...
高數(shù)值孔徑EUV光刻:引領(lǐng)下一代芯片制造的革命性技術(shù)
摩爾定律是指在給定面積的硅片上,晶體管的數(shù)量大約每兩年翻一番,這種增益推動了計算技術(shù)的發(fā)展。在過去半個世紀(jì)里,我們將該定律視為一種類似進(jìn)化或衰老的不可避...
半導(dǎo)體設(shè)備主要應(yīng)用于集成電路的制造和封測環(huán)節(jié),可細(xì)分為晶圓制造設(shè)備(前道設(shè)備)和封裝、測試設(shè)備(后道設(shè)備)。其中,前道設(shè)備主要有光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積...
上海伯東客戶某光刻機(jī)生產(chǎn)商, 生產(chǎn)的電子束光刻機(jī) Electron Beam Lithography System 最大能容納 300mmφ 的晶圓片和...
2023-06-02 標(biāo)簽:光刻機(jī)檢漏氦質(zhì)譜檢漏儀 1.8k 0
光刻機(jī)的鏡頭要實現(xiàn)納米級的成像分辨率,就得拼命增大鏡片的數(shù)值孔徑(Numerical Aperture),但這同時會導(dǎo)致焦深(DoF)的下降,焦深是指...
2024-01-22 標(biāo)簽:晶圓芯片制造半導(dǎo)體器件 1.7k 0
中國電科宣布已實現(xiàn)國產(chǎn)離子注入機(jī)28納米工藝制程全覆蓋
離子注入機(jī)是芯片制造中的關(guān)鍵裝備。在芯片制造過程中,需要摻入不同種類的元素按預(yù)定方式改變材料的電性能,這些元素以帶電離子的形式被加速至預(yù)定能量并注入至特...
芯片制造和傳統(tǒng)IC封裝的生產(chǎn)有何不一樣
DUV是深紫外線,EUV是極深紫外線。從制程工藝來看,DUV只能用于生產(chǎn)7nm及以上制程芯片。而只有EUV能滿足7nm晶圓制造,并且還可以向5nm、3n...
光刻與光刻機(jī) ?對準(zhǔn)和曝光在光刻機(jī)(Lithography Tool)內(nèi)進(jìn)行。 ?其它工藝在涂膠顯影機(jī)(Track)上進(jìn)行。 光刻機(jī)結(jié)...
2023-12-19 標(biāo)簽:控制系統(tǒng)IC設(shè)計測量系統(tǒng) 1.5k 0
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