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標(biāo)簽 > 光電器件
光電器件是指根據(jù)光電效應(yīng)制作的器件稱為光電器件,也稱光敏器件。光電器件的種類(lèi)很多,但其工作原理都是建立在光電效應(yīng)這一物理基礎(chǔ)上的。光電器件的種類(lèi)主要有: 光電管、光電倍增管、光敏電阻、光敏二極管、光敏三極管、光電池、光電耦合器件。
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熱激活的反Kasha躍遷為改善并苯分子的發(fā)光性質(zhì)提供新路徑
并苯是一類(lèi)由苯環(huán)線性稠合而成的多環(huán)芳烴,因其獨(dú)特的分子結(jié)構(gòu)與優(yōu)異的光電性質(zhì)在有機(jī)半導(dǎo)體材料等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景與研究?jī)r(jià)值。
金剛石晶格約束下二維固態(tài)氦盤(pán)的晶體結(jié)構(gòu)介紹
金剛石憑借其具有超寬帶隙(~5.5eV)、低介電常數(shù)、高載流子遷移率以及極高的擊穿強(qiáng)度以及耐腐蝕性等優(yōu)異的性能,有望成為下一代微電子和光電器件的理想材料...
基于CVD生長(zhǎng)的HfS?/MoS?異質(zhì)結(jié)高性能光電探測(cè)器
這項(xiàng)研究首次提出了一種由層間激子驅(qū)動(dòng)的高性能紅外光電探測(cè)器,該紅外探測(cè)器由化學(xué)氣相沉積(CVD)生長(zhǎng)的范德華異質(zhì)結(jié)所制備。這項(xiàng)研究標(biāo)志著光電器件領(lǐng)域進(jìn)步...
本項(xiàng)目通過(guò)密度泛函理論結(jié)合非平衡格林函數(shù)方法研究了Cl原子吸附黑磷的自旋輸運(yùn)性質(zhì),拓展了鹵素原子吸附黑磷的研究。研究結(jié)果表明由于Cl原子的吸附,黑磷的帶...
羅德與施瓦茨(以下簡(jiǎn)稱“RS公司”)在光電元器件領(lǐng)域長(zhǎng)期探索及積累,推出的頻域參數(shù)測(cè)試方案和時(shí)域參數(shù)測(cè)試方案,能夠幫助用戶快速可靠地測(cè)量這些光電元器件的...
2022-10-19 標(biāo)簽:測(cè)試測(cè)量光電器件羅德與施瓦茨 1.3k 0
引入的FoM減輕了溫度依賴性,并考慮了功率密度和效率之間的基本權(quán)衡。基于這一FoM,ICFO團(tuán)隊(duì)對(duì)最近實(shí)驗(yàn)中報(bào)道的TPV性能進(jìn)行了分類(lèi)。
2024-03-05 標(biāo)簽:太陽(yáng)能光電器件光伏系統(tǒng) 1.3k 0
微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)和載流子行為,從而決定器件的電學(xué)特性。以硅材料為例,摻入五價(jià)砷(As)元素可為晶格引入多...
2025-08-27 標(biāo)簽:光電器件GaN半導(dǎo)體器件 1k 0
CPO模塊電光同步貼裝新方案——京瓷高精度無(wú)源對(duì)準(zhǔn)技術(shù)解析
隨著AI、云計(jì)算爆發(fā)式增長(zhǎng),數(shù)據(jù)中心面臨帶寬密度不足與功耗激增雙重挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)電互連和板級(jí)光模塊難以滿足需求,而共封裝光學(xué)(CPO)技術(shù)將光電器件緊貼CP...
橢偏儀在先進(jìn)金屬Au薄膜表征中的應(yīng)用:光學(xué)常數(shù)反演與多層結(jié)構(gòu)建模分析
隨著柔性光電器件的快速發(fā)展,傳統(tǒng)ITO(氧化銦錫)透明導(dǎo)電薄膜因其本征脆性和波段局限性,難以滿足下一代柔性電子產(chǎn)品對(duì)短波紅外波段的應(yīng)用需求。金(Au)因...
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