只租不賣(mài)？服務(wù)器內(nèi)存探索新的商業(yè)模式

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）根據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道，三星作為世界最大的存儲(chǔ)廠商之一，正在尋求開(kāi)辟高端內(nèi)存芯片租賃這一全新的商業(yè)模式。在這一商業(yè)模式下，客戶(hù)通...

2023-01-08 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存服務(wù)器內(nèi)存 4.6k 0

合肥長(zhǎng)鑫12英寸存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)了從投產(chǎn)到量產(chǎn)再到批量銷(xiāo)售的關(guān)鍵跨越

3月5日，合肥產(chǎn)投集團(tuán)官微發(fā)文《潮起正是揚(yáng)帆時(shí)——合肥產(chǎn)投集團(tuán)成立六周年發(fā)展紀(jì)實(shí)》，透露了合肥長(zhǎng)鑫國(guó)產(chǎn)內(nèi)存的產(chǎn)能情況。

2021-03-09 標(biāo)簽：集成電路存儲(chǔ)器內(nèi)存 4.6k 0

非易失性存儲(chǔ)器-Nor Flash的特點(diǎn)都有哪些

Flash（快閃或閃存）由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲(chǔ)器，其快速是相對(duì)于EEPROM而言的。Flash從...

2020-12-07 標(biāo)簽：芯片內(nèi)存 4.6k 0

鴻海集團(tuán)將攜手夏普開(kāi)拓8K系統(tǒng)芯片,擴(kuò)大半導(dǎo)體領(lǐng)域版圖

鴻海集團(tuán)先前也訂下組跨國(guó)大聯(lián)盟，除活化既有夏普旗下8吋廠外，對(duì)下世代內(nèi)存也很有興趣，旗下半導(dǎo)體次集團(tuán)總經(jīng)理暨夏普董事劉揚(yáng)偉證實(shí)，與國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器大廠旺宏接觸...

2018-10-07 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體內(nèi)存 4.6k 0

英特爾矮款“寒霜峽谷”NUC上架，首次官方支持64GB內(nèi)存

英特爾矮款“寒霜峽谷”NUC現(xiàn)已上架京東，搭載25瓦6核i7-10710U，不包含內(nèi)存和SSD，售價(jià)4599元。

2020-01-13 標(biāo)簽：處理器英特爾內(nèi)存 4.6k 0

史上最快的內(nèi)存

對(duì)速度追求無(wú)極限的芝奇（GSkill）現(xiàn)在又創(chuàng)造了一個(gè)世界紀(jì)錄，全新的幻光戟Trident Z RGB內(nèi)存套裝頻率沖到了4700MHz，而在以往這只能在...

2019-04-03 標(biāo)簽：內(nèi)存 4.6k 0

內(nèi)存和顯存哪個(gè)更能影響電腦運(yùn)行速度

顯存，其實(shí)就是顯卡內(nèi)存。在計(jì)算機(jī)電腦中，顯存的作用可以說(shuō)是和硬盤(pán)同樣重要的，顯卡主要就是對(duì)一些數(shù)據(jù)進(jìn)行渲染，而顯存越大，對(duì)筆記本數(shù)據(jù)的渲染也就越好。特別...

2020-05-31 標(biāo)簽：內(nèi)存顯存 4.5k 0

如何解決數(shù)據(jù)傾斜的問(wèn)題？

數(shù)據(jù)傾斜問(wèn)題剖析 數(shù)據(jù)傾斜是分布式系統(tǒng)不可避免的問(wèn)題，任何分布式系統(tǒng)都有幾率發(fā)生數(shù)據(jù)傾斜，但有些小伙伴在平時(shí)工作中感知不是很明顯。這里要注意本篇文章的標(biāo)...

2021-06-13 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)內(nèi)存 4.5k 0

美光正式量產(chǎn)1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存

日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第三代10nm級(jí)內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個(gè)量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進(jìn)...

2019-08-26 標(biāo)簽：芯片封裝內(nèi)存 4.5k 0

內(nèi)存氣球技術(shù)是什么，它的優(yōu)勢(shì)和缺點(diǎn)有哪些

在現(xiàn)代虛擬化數(shù)據(jù)存儲(chǔ)架構(gòu)中，內(nèi)存氣球（Memory Ballooning）技術(shù)起著至關(guān)重要的作用。由于物理和虛擬資產(chǎn)都需要內(nèi)存資源，因此需要以多種方式聲...

2019-11-18 標(biāo)簽：內(nèi)存數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 4.5k 0

美光桃園工廠停電，全球DRAM供應(yīng)恐受影響

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，12月3日下午，存儲(chǔ)芯片及存儲(chǔ)解決方案提供商美光科技位于桃園的工廠發(fā)生無(wú)預(yù)警停電事件。業(yè)內(nèi)消息人士稱(chēng)，美光桃園工廠停電可能影響全球DRA...

2020-12-06 標(biāo)簽：DRAM內(nèi)存美光 4.5k 0

下一代通用內(nèi)存會(huì)是ULTRARAM嗎？

快速、非易失性、高耐久和低邏輯狀態(tài)開(kāi)關(guān)能耗，這些特質(zhì)全部匯聚在一個(gè)通用內(nèi)存上過(guò)去被認(rèn)為是不可能實(shí)現(xiàn)的，因?yàn)樗鼈兯璧奈锢硖匦允窍嚆５?。傳統(tǒng)意義上來(lái)說(shuō)，快...

2022-01-19 標(biāo)簽：英特爾內(nèi)存三星 4.5k 0

雙通道內(nèi)存

雙通道內(nèi)存          　　雙通道內(nèi)存技術(shù)其實(shí)是一種內(nèi)存控制和管理技術(shù)，它依...

2009-04-26 標(biāo)簽：內(nèi)存 4.5k 0

2019年旗艦手機(jī)配備10GB內(nèi)存將成為主流

1月22日消息，據(jù)Digitimes報(bào)道，2019年旗艦手機(jī)配備10GB內(nèi)存將成為主流。

2019-01-22 標(biāo)簽：手機(jī)內(nèi)存 4.5k 0

三星電子將開(kāi)發(fā)首款基于第三代10nm級(jí)工藝DRAM內(nèi)存芯片,下半年量產(chǎn)

三星電子宣布開(kāi)發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過(guò)去16個(gè)月。

2019-03-24 標(biāo)簽：三星電子內(nèi)存 4.5k 0

內(nèi)存銷(xiāo)量反彈，預(yù)計(jì)2022年將創(chuàng)歷史新高

5月20日消息 IC Insights在其4月更新的《McClean報(bào)告-集成電路產(chǎn)業(yè)的全面分析和預(yù)測(cè)（MR21）》中，更新了對(duì)33個(gè)主要IC產(chǎn)品類(lèi)別的...

2021-05-20 標(biāo)簽：ROM內(nèi)存EEPROM 4.4k 0

處理器與內(nèi)存延遲的關(guān)系

對(duì)于DIY玩家來(lái)說(shuō)，探究技術(shù)細(xì)節(jié)是他們的一大樂(lè)趣之一，最讓玩家糾結(jié)的一個(gè)參數(shù)大概要屬內(nèi)存延遲這事了，一方面這關(guān)系到內(nèi)存的選擇，頻率越高的內(nèi)存當(dāng)然延遲會(huì)更...

2019-09-11 標(biāo)簽：處理器intel內(nèi)存 4.4k 0

DDR3內(nèi)存突然漲價(jià)50% DDR5內(nèi)存將要上市

最快在2021年9月份，隨著Intel的十二代酷睿Alder Lake的到來(lái)，DDR5內(nèi)存也要商用了，今年會(huì)是DDR5元年。 DDR5內(nèi)存來(lái)了，DDR4...

2021-02-02 標(biāo)簽：DDR3intel內(nèi)存 4.4k 0