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功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱(chēng)為電力電子器件，是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)，也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體技術(shù)

IGBT器件的防靜電注意事項(xiàng)

IGBT作為功率半導(dǎo)體器件，對(duì)靜電極為敏感。我將從其靜電敏感性原理入手，詳細(xì)闡述使用過(guò)程中防靜電的具體注意事項(xiàng)與防護(hù)措施，確保其安全穩(wěn)定運(yùn)行。

2025-05-15 標(biāo)簽：IGBT 防靜電功率半導(dǎo)體 2k 0

航裕電源核心產(chǎn)品解析

在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈、供應(yīng)鏈安全備受關(guān)注的背景下，功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域長(zhǎng)期依賴(lài)進(jìn)口的局面正在被打破。航裕電源憑借自主研發(fā)的HY-SMU 300...

2025-04-29 標(biāo)簽：二極管直流電源功率半導(dǎo)體 1.3k 0

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（十）——柵極電荷和應(yīng)用

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)是功率半導(dǎo)體應(yīng)用的難點(diǎn)，涉及到功率半導(dǎo)體的動(dòng)態(tài)過(guò)程控制及器件的保護(hù)，實(shí)踐性很強(qiáng)。為了方便實(shí)現(xiàn)可靠的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，英飛凌的驅(qū)動(dòng)集成電路自帶了一些重...

2025-04-14 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體柵極電荷驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 1.3k 0

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（九）——柵極鉗位

2025-04-07 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)電路功率半導(dǎo)體 1.3k 0

碳化硅VS硅基IGBT：誰(shuí)才是功率半導(dǎo)體之王？

在半導(dǎo)體技術(shù)的不斷演進(jìn)中，功率半導(dǎo)體器件作為電力電子系統(tǒng)的核心組件，其性能與成本直接影響著整個(gè)系統(tǒng)的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙...

2025-04-02 標(biāo)簽：IGBT 芯片封裝功率半導(dǎo)體 6.6k 0

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（八）——米勒鉗位雜談

2025-03-31 標(biāo)簽：電路設(shè)計(jì)鉗位驅(qū)動(dòng)電路 2.9k 0

合科泰MOS管在開(kāi)關(guān)電源中的應(yīng)用

隨著電子技術(shù)的飛速發(fā)展和環(huán)保意識(shí)的增強(qiáng)，高效、節(jié)能的電源系統(tǒng)成為市場(chǎng)的主流需求。開(kāi)關(guān)電源以其高效率、小體積等優(yōu)點(diǎn)在眾多領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。而MOS管作為...

2025-03-24 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電源 MOS管功率半導(dǎo)體 1.4k 0

TPS7H5020 SEP 能夠驅(qū)動(dòng) MOSFET 或 GaN FET 的耐輻射 1MHz PWM 控制器數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS7H502x 是一款抗輻射性保證、電流模式、單端 PWM 控制器，具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器，可用于基于硅和氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。T...

2025-03-19 標(biāo)簽：PWM控制器 GaN 功率半導(dǎo)體 1.1k 0

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（二）——驅(qū)動(dòng)器的輸入側(cè)探究

2025-02-17 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì) 1.2k 0

功率半導(dǎo)體驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)（一）綜述

工業(yè)應(yīng)用中，功率半導(dǎo)體的驅(qū)動(dòng)電源功率不大，設(shè)計(jì)看似簡(jiǎn)單，但要設(shè)計(jì)出簡(jiǎn)單低成本的電路并不容易，主要難點(diǎn)有幾點(diǎn)：1電路要求簡(jiǎn)潔，占用線路板面積要小一個(gè)Eas...

2025-02-14 標(biāo)簽：電源設(shè)計(jì)功率半導(dǎo)體移動(dòng)電源 935 0

驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)（一）—— 驅(qū)動(dòng)器的功能綜述

2025-02-10 標(biāo)簽：英飛凌驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)電路 1.7k 0

功率半導(dǎo)體器件的雙脈沖測(cè)試方案

我們將高功率SiC器件定義為處理1kV和100A范圍內(nèi)的器件，這相當(dāng)于100kW的功率。SiC晶體管處理和服務(wù)的高電壓、高電流和快速開(kāi)關(guān)系統(tǒng)的性質(zhì)帶來(lái)了...

2025-01-22 標(biāo)簽：IGBT SiC 功率半導(dǎo)體 3.3k 0

SGT MOSFET的優(yōu)勢(shì)解析

SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類(lèi)...

2025-01-22 標(biāo)簽：芯片 MOSFET 寄生電容 6.8k 0

Simcenter Micred Power Tester功率循環(huán)測(cè)試儀

SimcenterMicredPowerTester功率循環(huán)測(cè)試儀使用結(jié)合了有效功率循環(huán)和熱結(jié)構(gòu)退化監(jiān)測(cè)的測(cè)試硬件，評(píng)估功率半導(dǎo)體的熱可靠性和使用壽命。...

2025-01-09 標(biāo)簽：測(cè)試儀功率半導(dǎo)體 3.2k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（十一）——功率半導(dǎo)體器件的功率端子

/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低...

2025-01-06 標(biāo)簽：功率器件功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì) 1.6k 0

揭秘功率半導(dǎo)體背后的封裝材料關(guān)鍵技術(shù)

功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。它們具有高效能、快速開(kāi)關(guān)、耐高溫等優(yōu)勢(shì)，被廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，如電力電子、電動(dòng)汽車(chē)、可再生能源...

2024-12-24 標(biāo)簽：電子設(shè)備功率半導(dǎo)體封裝材料 2.2k 0

安森美兩大最新功率模塊系列解讀

安森美（onsemi）在2024年先后推出兩款超強(qiáng)功率半導(dǎo)體模塊新貴，IGBT模塊系列——SPM31IPM，QDual3。值得注意的是，背后都提到采用了...

2024-12-19 標(biāo)簽：安森美 IGBT 功率模塊 1.7k 0

功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（九）——功率半導(dǎo)體模塊的熱擴(kuò)散

樣品活動(dòng)進(jìn)行中，掃碼了解詳情/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)...

2024-12-16 標(biāo)簽：功率器件測(cè)量功率半導(dǎo)體 1.8k 0

功率半導(dǎo)體模塊的可靠性評(píng)估：功率循環(huán)測(cè)試研究

功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它們?cè)陔娏ο到y(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動(dòng)，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及...

2024-12-06 標(biāo)簽：測(cè)試功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1.9k 0

RIGOL IGBT雙脈沖測(cè)試應(yīng)用案例介紹

功率半導(dǎo)體器件本質(zhì)是利用半導(dǎo)體的單向?qū)щ娦愿淖冸娐分械碾妷?、電流、頻率、導(dǎo)通狀態(tài)等物理特性，實(shí)現(xiàn)電源開(kāi)關(guān)和電力轉(zhuǎn)換等管理。功率半導(dǎo)體種類(lèi)較多，根據(jù)可控性...

2024-11-24 標(biāo)簽：電流電壓雙極晶體管 2k 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
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PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國(guó)社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國(guó)際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開(kāi)始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營(yíng)部部長(zhǎng)、副總經(jīng)理、副董事長(zhǎng)。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長(zhǎng)。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國(guó)人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長(zhǎng)、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長(zhǎng)等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日?qǐng)?bào)《中國(guó)經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國(guó)十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國(guó)十大營(yíng)銷(xiāo)人物”
UCD3138

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時(shí)鐘	時(shí)鐘振蕩器	時(shí)鐘發(fā)生器	時(shí)鐘緩沖器	定時(shí)器	寄存器	實(shí)時(shí)時(shí)鐘	PWM 調(diào)制器
視頻放大器	功率放大器	頻率轉(zhuǎn)換器	揚(yáng)聲器放大器	音頻轉(zhuǎn)換器	音頻開(kāi)關(guān)	音頻接口	音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器	數(shù)模轉(zhuǎn)換器	數(shù)字電位器	觸摸屏控制器	AFE	ADC	DAC	電源管理
線性穩(wěn)壓器	LDO	開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器	DC/DC	降壓轉(zhuǎn)換器	電源模塊	MOSFET	IGBT
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