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標(biāo)簽 > 功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體

功率半導(dǎo)體

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功率半導(dǎo)體器件又被稱為電力電子器件,是電力電子技術(shù)的基礎(chǔ),也是構(gòu)成電力電子變換裝置的核心器件。

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功率半導(dǎo)體資訊

誰改變了整個(gè)電器時(shí)代?巴利加為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域注入活力

通用電氣公司的一些工程師想探索一個(gè)簡單的節(jié)能理念:讓驅(qū)動(dòng)電機(jī)到達(dá)預(yù)想轉(zhuǎn)速就可以了。但這需要增加電子器件,以可變頻率向電機(jī)的繞組輸送功率,這在當(dāng)時(shí)是不容易...

2018-04-16 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 1.2萬 0

GaN和SiC增利效應(yīng)拉高,市場競逐日趨白熱化

Wolfspeed,英飛凌,三菱,安森美半導(dǎo)體,意法半導(dǎo)體,ROHM和Toshiba等供應(yīng)商正在推出下一波基于氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)的功率半...

2019-11-11 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.2萬 0

一文了解MOS管寄生電容是如何形成的?

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功率半導(dǎo)體的核心是PN結(jié),從二極管、三極管到場效應(yīng)管,都是根據(jù)PN結(jié)特性所做的各種應(yīng)用。場效應(yīng)管分為結(jié)型、絕緣柵型,其中絕緣柵型也稱MOS管(Metal...

2022-04-07 標(biāo)簽:電容MOS管功率半導(dǎo)體 1.2萬 0

重慶集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈已初步建成,未來將成為國內(nèi)重要的功率半導(dǎo)體基地

重慶是國內(nèi)發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)最早的城市之一,我國第一塊大規(guī)模集成電路芯片,就出自位于永川的中國電子科技集團(tuán)公司第24研究所。

2018-08-15 標(biāo)簽:集成電路功率半導(dǎo)體 1.2萬 0

功率半導(dǎo)體市場及機(jī)會(huì)深度解析!

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IGBT/三代化合物半導(dǎo)體功率器件在技術(shù)推進(jìn)和應(yīng)用驅(qū)動(dòng)下迎來新一輪發(fā)展機(jī)遇。

2019-06-27 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體5G 1.1萬 0

碳化硅發(fā)展現(xiàn)狀和挑戰(zhàn)

碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體市場產(chǎn)值到2024年將達(dá)到19.3億美元

2019-08-15 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體碳化硅 1.1萬 0

中國首家12寸功率半導(dǎo)體晶圓項(xiàng)目投入運(yùn)營!

6月1日,由中國進(jìn)出口銀行重慶分行提供融資支持的重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司一期項(xiàng)目(以下簡稱“重慶萬國”)在重慶兩江新區(qū)高新園開始試生產(chǎn)。

2018-06-02 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體晶圓制造 1.1萬 0

2022財(cái)年英飛凌業(yè)績出眾!踐行低碳化和智能化,英飛凌首次舉辦線上生態(tài)創(chuàng)新大會(huì)!多家重量級(jí)合作伙伴登場

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“低碳化和數(shù)字化是英飛凌的兩個(gè)主要增長動(dòng)力。在過去幾年中,我們一直處于盈利增長的過程中,我們在上一個(gè)財(cái)政年度剛剛實(shí)現(xiàn)了一個(gè)新的里程碑。2022財(cái)年(截至...

2022-12-18 標(biāo)簽:英飛凌聯(lián)發(fā)科物聯(lián)網(wǎng) 1.1萬 0

2027年超越100億美元!GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模暴增

功率半導(dǎo)體市場一直都處于溫溫不火的狀態(tài)的,但是隨著混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電力和光伏(PV)逆變器的需求,GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模呈現(xiàn)井噴式增長。

2018-05-23 標(biāo)簽:SiCGaN功率半導(dǎo)體 1.1萬 0

IGBT的工作原理 IGBT的驅(qū)動(dòng)電路

IGBT是一種高性能功率半導(dǎo)體器件,常用于驅(qū)動(dòng)大功率負(fù)載的電路中。 一、IGBT的工作原理 IGBT是由MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)和B...

2024-01-12 標(biāo)簽:IGBT驅(qū)動(dòng)電路功率半導(dǎo)體 1.0萬 0

微碩SGT工藝場效應(yīng)管新品上線,關(guān)于SGT MOSFET你了解多少?

相對(duì)于MOSFET也屬于高端功率器件,但在廣大的中低壓應(yīng)用當(dāng)中,無論是消費(fèi)類電子,還是家用電器,或是嵌入式系統(tǒng)和工業(yè)領(lǐng)域,MOSFET依然占據(jù)著巨大的市場份額。

2021-05-20 標(biāo)簽:MOSFET晶閘管功率半導(dǎo)體 1.0萬 0

華潤微電子建設(shè)國內(nèi)首座12吋功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線

華潤12吋晶圓生產(chǎn)線項(xiàng)目投資約100億元,建設(shè)國內(nèi)首座本土企業(yè)的12吋功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線,主要生產(chǎn)MOSFET、IGBT、電源管理芯片等功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。

2018-11-08 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體華潤微電子 1.0萬 0

三駕馬車驅(qū)動(dòng),功率半導(dǎo)體前景如何?英飛凌陳清源這么說

7月23日,2019英飛凌電源管理研討會(huì)在深圳盛大開幕,英飛凌電源管理與多元化市場事業(yè)部大中華區(qū)高級(jí)市場經(jīng)理陳清源就全球半導(dǎo)市場和功率半導(dǎo)體的市場應(yīng)用熱...

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華潤微電子功率半導(dǎo)體 國產(chǎn)替代空間廣闊

近日,華潤微電子回復(fù)了上交所科創(chuàng)板上市的首輪問詢,對(duì)股權(quán)結(jié)構(gòu)等52個(gè)問題進(jìn)行了詳細(xì)說明。6月26日,公司首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的申請獲上交所受理...

2019-09-17 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體華潤微電子 9.7k 0

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安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)日前宣布已經(jīng)完成對(duì)快捷半導(dǎo)體(Fairchild Semiconductor)的收購;這樁價(jià)值24億美元...

2016-09-23 標(biāo)簽:安森美電源管理功率半導(dǎo)體 9.6k 0

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隨著智能電網(wǎng)、汽車電氣化等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件逐漸往高壓、高頻方向發(fā)展,功率分立器件的演進(jìn)路徑基本為二極管→晶閘管→MOSFET→IGBT,其...

2021-03-29 標(biāo)簽:芯片功率半導(dǎo)體核心器件 9.5k 0

我國寬禁帶功率半導(dǎo)體行業(yè)現(xiàn)狀如何?未來又將如何發(fā)展?

寬禁帶功率半導(dǎo)體的研發(fā)與應(yīng)用日益受到重視,其中碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)以高效的光電轉(zhuǎn)化能力、優(yōu)良的高頻功率特性、高溫性能穩(wěn)定和低能量損耗等優(yōu)勢...

2018-08-06 標(biāo)簽:功率半導(dǎo)體 9.4k 0

疫情之后,功率半導(dǎo)體加速國產(chǎn)替代!

功率半導(dǎo)體在經(jīng)歷了2017年的行業(yè)高點(diǎn)之后,整體營收開始逐漸下滑,在2019年第一季度增速進(jìn)入最低點(diǎn),至-3.47%,隨后開始回升,在2019年第三季度...

2020-05-07 標(biāo)簽:MOSFET功率半導(dǎo)體IGBT模塊 9.4k 0

IGBT價(jià)格短期穩(wěn)定,但預(yù)計(jì)至少到2020年仍有上升空間

預(yù)計(jì)短期內(nèi)IGBT價(jià)格將保持穩(wěn)定,中長期至少到2020年仍存上升空間,2018年1-8月IGBT價(jià)格雖仍較高,但波動(dòng)逐步放緩,預(yù)計(jì)全球再次出現(xiàn)IGBT大...

2019-02-14 標(biāo)簽:新能源汽車IGBT功率半導(dǎo)體 9.3k 0

國產(chǎn)IGBT,任重而道遠(yuǎn)!

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48V系統(tǒng)將迅速推動(dòng)市場,市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Développement(Yole)預(yù)測2017~2023年期間輕度混合動(dòng)力汽車的復(fù)合年成長率將達(dá)到50%...

2018-05-17 標(biāo)簽:IGBT功率半導(dǎo)體 9.2k 0

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    TRINAMIC總部位于德國漢堡,經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話,主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)(步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng))主要產(chǎn)品包括芯片,模塊和系統(tǒng)。
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    目前手機(jī)快速充電主要分為三大類:VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求,電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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    董明珠, 出生于江蘇南京,企業(yè)家 ,先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財(cái)經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級(jí) 、中國社會(huì)科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。   1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月,被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表,擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會(huì)副會(huì)長、珠海市紅十字會(huì)榮譽(yù)會(huì)長等職務(wù) 。2004年3月,當(dāng)選人民日報(bào)《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評(píng)選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評(píng)為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評(píng)為“2004年度中國十大營銷人物”
  • UCD3138
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時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語音識(shí)別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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