電路可靠性設計之降額參數(shù)及降額因子

1級降額，最大的降額，適用于： a.失效將導致人員傷亡或設備及保護措施的嚴重破壞； b.高可靠性要求的設備卻采用了新技術新工藝； c.設備失效不能維修；...

2023-10-12 標簽：集成電路電阻運算放大器 6.4k 0

寬禁帶半導體的核心材料碳化硅襯底到底貴在哪里？

碳化硅襯底是新近發(fā)展的寬禁帶半導體的核心材料，碳化硅襯底主要用于微波電子、電力電子等領域，處于寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)鏈的前端，是前沿、基礎的核心關鍵材料。

2023-10-09 標簽：電動汽車功率器件SiC 2.1k 0

中國新能源汽車高壓控制器芯片白皮書

　我們的研究顯示，早期市場的發(fā)展多由政策推動，隨著三電技術提升、智能網(wǎng)聯(lián)配置的加持，新能源汽車產(chǎn)品的性價比得到了極大的提升。“續(xù)航里程 +補能體驗”的雙...

2023-10-09 標簽：新能源汽車控制器功率器件 858 0

陽光電動力混合動力雙電機控制器四大關鍵

針對整車發(fā)動機艙裝配空間有限的痛點，HEM系列控制器基于并聯(lián)模組一體化集成設計，應用注塑銅排，減少絕緣空間占用，結構更加緊湊，實現(xiàn)高功率密度。

2023-10-09 標簽：發(fā)動機控制器電機控制器 2.4k 0

充電樁行業(yè)七大發(fā)展趨勢

介紹了功率半導體器件的原理、結構、特性和可靠性技術，器件部分涵蓋了當前電力電子技術中使用的各種類型功率半導體器件，包括二極管、晶閘管、MOSFET、IG...

2023-10-09 標簽：MOSFETIGBT功率器件 883 0

新型SIC功率芯片結構設計及制造技術

　　柵極電壓。上升過程，P阱中電子流向溝道，空穴流出P阱，在流經(jīng)P阱電阻及P型歐姆接觸電阻時，P阱瞬態(tài)電位上升，等效閾值電壓升高; 　　漏極電壓下...

2023-10-08 標簽：新能源汽車電阻功率器件 1k 0

SiC材料及器件介紹

SiC，作為發(fā)展最成熟的寬禁帶半導體材料之一，具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場高、熱導率高、電子飽和漂移速度高及抗輻射能力強等特點。

2023-09-28 標簽：晶圓場效應晶體管肖特基二極管 5.4k 0

碳化硅器件“上車”加快，800V高壓平臺蓄勢待發(fā)

根據(jù)研究和規(guī)模化應用的時間先后順序，業(yè)內將半導體材料劃分為三代。常見的半導體材料包括硅（Si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）、碳化硅（SiC）、氮化鎵...

2023-09-28 標簽：MOSFETIGBT功率器件 1.5k 0

功率器件各項參數(shù)及其應用領域對比

功率半導體是一種用于電力電子轉換的關鍵組件，它能夠實現(xiàn)電能的高效轉換、傳輸和控制。功率半導體在工業(yè)、消費電子、交通運輸、能源等多個領域具有廣泛的應用，如...

2023-09-27 標簽：MOSFETIGBT功率器件 2k 0

功率器件封裝結構熱設計介紹

尤其是在目前功率器件高電壓、大電流和封裝 體積緊湊化的發(fā)展背景下，封裝器件的散熱問題已 變得尤為突出且更具挑戰(zhàn)性。芯片產(chǎn)生的熱量 會影響載流子遷移率而降...

2023-09-25 標簽：封裝電力系統(tǒng)功率器件 2.7k 0

碳化硅功率器件封裝技術解析

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優(yōu)點。如何充分發(fā)揮碳化硅器件的這些...

2023-09-24 標簽：封裝技術BGA功率器件 1.8k 0

IGBT器件介紹 IGBT結構與工作原理

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡稱，其由雙極結型晶體管(BJT)和金屬氧化物場效應晶...

2023-09-22 標簽：MOSFETIGBT晶體管 2.0萬 0

PCB銅皮面積的計算

首先給出答案，對于散熱，并非銅皮面積越大越好，銅皮較薄時更是如此。

2023-09-21 標簽：PCBsmt散熱 6.1k 0

功率器件可靠性試驗測試項目

龍騰半導體建有功率器件可靠性與應用實驗中心，專注于產(chǎn)品設計驗證、參數(shù)檢測、可靠性驗證、失效分析及應用評估，公司參考半導體行業(yè)可靠性試驗條件和抽樣原則，制...

2023-09-20 標簽：功率器件半導體元器件 2.5k 0

高速風筒一站式解決方案

電吹風是居家生活必備物品。傳統(tǒng)的吹風機轉速通常在2萬轉左右，干發(fā)速度較慢（中長發(fā)常常超過10分鐘以上）；利用高溫干發(fā)，還容易損傷頭發(fā)；噪聲比較大的同時重...

2023-09-19 標簽：PWM電機emc 5k 0

第三代半導體功率器件在汽車行業(yè)的應用

碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，它突破硅基半導體材料物理限制，成為第三代半導體核心材料。碳化硅材料性能優(yōu)勢引領功率器件新變革。

2023-09-19 標簽：MOSFET半導體IGBT 2.8k 0

關于MOS管燒毀的原因有哪些？

大電流的快速切換會導致電源軌上的電壓驟降和瞬態(tài)尖峰。如果電源和控制電子設備共用一個或多個電源軌，則可能會對控制電路產(chǎn)生干擾。

2023-09-19 標簽：二極管MOS管導通電阻 1.8k 0

超結理論應用：平面VDMOS結構與超結MOSFET技術介紹

功率器件要得到較高的擊穿電壓，就必須使用較厚的外延層漂移區(qū)與較低的摻雜濃度，常規(guī)VDMOS的特征導通電阻與擊穿電壓關系如下式所示。

2023-09-18 標簽：導通電阻驅動電路功率器件 8.6k 0

功率器件的分類及對比分析

作為新能源汽車電控系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件，新能源汽車產(chǎn)業(yè)已經(jīng)成為功率器件需求增加最快的領域，并且將進一步保持增長到2025年將成為需求量最大的領域。

2023-09-15 標簽：新能源汽車MOSFET逆變器 2k 0