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      標(biāo)簽　>　功率器件

      功率器件

      功率器件

      +關(guān)注43人關(guān)注

      功率器件，就是輸出功率比較大的電子元器件，像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件，還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細介紹了：功率器件定義，功率器件龍頭企業(yè)，最新功率器件，分立器件與功率器件，功率器件測試，功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

      文章：2023個 瀏覽：95280次 帖子：53個

      功率器件技術(shù)

      碳化硅的性能和應(yīng)用場景

      碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和...

      2023-08-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 5.1k 0

      電腦電源為什么不用氮化鎵 氮化鎵充電器好還是原裝充電器好

      雖然GaN在功率器件領(lǐng)域有很大的潛力，但目前仍存在一些技術(shù)和經(jīng)濟上的挑戰(zhàn)，使得它在電腦電源領(lǐng)域的應(yīng)用受到限制。其中一個主要因素是成本。目前，GaN的制造...

      2023-08-17 標(biāo)簽：充電器功率器件氮化鎵 1.4萬 0

      二極管器件的串聯(lián)和并聯(lián)應(yīng)用

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      二極管器件在進行串聯(lián)應(yīng)用時，必須注意其靜態(tài)均壓和動態(tài)均壓。

      2023-08-17 標(biāo)簽：串聯(lián)并聯(lián)二極管 2.6k 0

      硅終端金剛石半導(dǎo)體與場效應(yīng)管器件研究進展

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      金剛石作為超寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表，近年來成為大家關(guān)注的熱點。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進展，但半導(dǎo)體摻雜技術(shù)至今沒有很好解決。氫終端...

      2023-08-17 標(biāo)簽：MOSFET半導(dǎo)體場效應(yīng)管 3.4k 0

      薩科微sl4056鋰電池充電管理方案

      薩科微sl4056鋰電池充電管理方案

      深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司技術(shù)骨干來自清華大學(xué)，以新材料新工藝新產(chǎn)品推動公司發(fā)展，掌握國際領(lǐng)先的第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)。薩科微是集電子元器件的設(shè)...

      2023-08-16 標(biāo)簽：鋰電池電路圖半導(dǎo)體 862 0

      芯塔電子發(fā)布自主研發(fā)1700V/5Ω SiC MOSFET產(chǎn)品

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      芯塔電子1700V/5Ω SiC MOSFET主要應(yīng)用新能源汽車電池電壓檢測和絕緣監(jiān)測。該應(yīng)用場景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦繼電器整體性能，使之...

      2023-08-16 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC MOSFET 1.3k 0

      數(shù)明半導(dǎo)體SiLM824x系列隔離雙通道門級驅(qū)動器介紹

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      數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的SiLM824x系列是一款具有不同配置的隔離雙通道門級驅(qū)動器。SiLM8243和SiLM8244配置為高、低邊驅(qū)動，而SiLM824...

      2023-08-15 標(biāo)簽：驅(qū)動器功率器件GaN 2.4k 0

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      碳化硅功率器件與傳統(tǒng)硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導(dǎo)通型單晶襯底上額外生長高質(zhì)量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。

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      2023-08-14 標(biāo)簽：pcb功率器件SiC 1.4k 0

      單相全橋逆變器電路圖 單相橋式逆變器的工作原理和波形圖詳解

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      單相全橋逆變器基本上是電壓源逆變器，單相全橋逆變器的電源電路圖下圖所示。為了簡單，沒有標(biāo)出SCR觸發(fā)電路和換向電路。

      2023-08-14 標(biāo)簽：二極管逆變器波形圖 3.3萬 0

      IGBT模塊參數(shù)之NTC熱敏電阻

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      IGBT結(jié)溫是功率電子器件最重要的參數(shù)之一，器件在運行中測量此溫度是非常困難的。一個方法是通過使用IGBT模塊內(nèi)部的NTC(熱敏電阻)近似估計芯片穩(wěn)定工...

      2023-08-11 標(biāo)簽：熱敏電阻NTCIGBT 4k 0

      幾種led襯底的主要特性對比 氮化鎵同質(zhì)外延的難處

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      GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計→器件制造。其中，襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延...

      2023-08-10 標(biāo)簽：led功率器件氮化鎵 2.7k 0

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      如今，我們已經(jīng)無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個方面越來越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過程中，功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。

      2023-08-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1k 0

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      采用砂漿多線切割工藝加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶體，研究了此工藝中鋼線張力、 線速度、進給速度等切割參數(shù)對晶片切割表面的影響。通過優(yōu)...

      2023-08-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件晶片 4.6k 0

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      功率器件有源區(qū)含有PN結(jié)，施加反向耐壓時，靠PN結(jié)承壓。實際平面工藝中，在芯片發(fā)射極表面光刻掩膜開窗口后進行雜質(zhì)注入推結(jié)，制作出的 PN結(jié)在中間大部分區(qū)...

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      碳化硅功率器件的應(yīng)用和發(fā)展

      碳化硅功率器件是一種新型的半導(dǎo)體器件，由于其具有高溫工作能力、高擊穿場強、高電子遷移率等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于許多領(lǐng)域，包括電動汽車、可再生能源、工業(yè)電機和...

      2023-08-08 標(biāo)簽：電動汽車半導(dǎo)體功率器件 1.2k 0

      PCB設(shè)計之熱干擾及抵制

      元器件在工作中都有一定程度的發(fā)熱，尤其是功率較大的器件所發(fā)出的熱量會對周邊溫度比較敏感的器件產(chǎn)生干擾，若熱干擾得不到很好的抑制，那么整個電路的電性能就會...

      2023-08-04 標(biāo)簽：電路元器件功率器件 628 0

      pcb電路板散熱技巧有哪些

      pcb電路板散熱技巧有哪些

      對電路板進行很好的散熱處理是非常重要的。PCB電路板的散熱是一個非常重要的環(huán)節(jié)，那么PCB電路板散熱技巧是怎樣的，下面我們一起來討論下。

      2023-08-04 標(biāo)簽：pcb元器件功率器件 1.7k 0

      光伏發(fā)電中功率器件的應(yīng)用分析

      碳化硅功率器件主要應(yīng)用于新能源車的電驅(qū)電控系統(tǒng)，相較于傳統(tǒng)硅基 功率半導(dǎo)體器件，碳化硅功率器件在耐壓等級、開關(guān)損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優(yōu)勢，有助...

      2023-08-02 標(biāo)簽：MOSFET光伏光伏發(fā)電 990 0

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      功率器件表面貼裝在電路層，器件運行時所產(chǎn)生的熱量通過絕緣層快速傳導(dǎo)到金屬基層，然后由金屬基層將熱量傳遞出去，從而實現(xiàn)對器件的散熱（請見圖2）。

      2023-08-02 標(biāo)簽：pcb功率器件印制線路板 1.0萬 0

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        工業(yè)4.0是由德國政府《德國2020高技術(shù)戰(zhàn)略》中所提出的十大未來項目之一。該項目由德國聯(lián)邦教育局及研究部和聯(lián)邦經(jīng)濟技術(shù)部聯(lián)合資助，投資預(yù)計達2億歐元。旨在提升制造業(yè)的智能化水平，建立具有適應(yīng)性、資源效率及基因工程學(xué)的智慧工廠，在商業(yè)流程及價值流程中整合客戶及商業(yè)伙伴。
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        JDI（Java Debug Interface）是 JPDA 三層模塊中最高層的接口，定義了調(diào)試器（Debugger）所需要的一些調(diào)試接口?；谶@些接口，調(diào)試器可以及時地了解目標(biāo)虛擬機的狀態(tài)，例如查看目標(biāo)虛擬機上有哪些類和實例等。
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        麒麟960（kirin 960）是海思半導(dǎo)體有限公司推出的新一代移動設(shè)備芯片，麒麟960首次配備ARM Cortex-A73 CPU核心，小核心為A53，組成四大四小的big.LITTLE組合，GPU為Mali G71 MP8。
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