碳化硅二極管的應(yīng)用及作用

　　碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，與傳統(tǒng)的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(chǎng)(3×106V/cm)和高導(dǎo)熱系數(shù)(...

2023-02-07 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體功率器件 2.5k 0

SiC SBD器件結(jié)構(gòu)和特征

1. 器件結(jié)構(gòu)和特征 SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 1.5k 0

SiC的物性和特征

SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。 不僅絕緣擊穿場(chǎng)強(qiáng)是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時(shí)可以在較寬范圍內(nèi)...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件SiC碳化硅 2.1k 0

東科四款合封氮化鎵快充芯片量產(chǎn)，多款應(yīng)用案例剖析

在氮化鎵快充市場(chǎng)不斷拓展的過(guò)程中，電源技術(shù)水平也在不斷提升，起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器+驅(qū)動(dòng)+氮化鎵功率器件組合設(shè)計(jì)，不僅電路布局較為復(fù)雜，...

2023-02-07 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵快充芯片 3.1k 0

車規(guī)功率半導(dǎo)體被玩家壟斷，2023年看不到供需緩解跡象

功率器件品類眾多，其中車規(guī)功率器件量?jī)r(jià)齊升市場(chǎng)規(guī)模已超過(guò)1000億元

2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFET晶閘管IGBT 1.5k 0

功率器件和分立器件的區(qū)別

功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流，比如晶閘管主要用...

2023-02-07 標(biāo)簽：MOSFETIGBT功率器件 8.9k 0

小信號(hào)器件和功率器件又是什么？

隨著小信號(hào)器件概念的出現(xiàn)，半導(dǎo)體分立器件按照功率、電流指標(biāo)又劃分出了小信號(hào)器件及功率器件兩大類：世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)會(huì)（WSTS）也將小信號(hào)器件定義為耗...

2023-02-07 標(biāo)簽：分立器件功率器件額定電流 1.4k 0

碳化硅的工作原理、優(yōu)點(diǎn)及主要用途

　　碳化硅，是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式為SiC，碳化硅(SiC)由碳(C)原子和硅(Si)原子組成，密度是3.2g/cm3，天然碳化硅非常罕見(jiàn)，主要通過(guò)人工合...

2023-02-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件SiC 1.0萬(wàn) 0

什么是硅基氮化鎵？

硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對(duì)傳統(tǒng)硅材料進(jìn)行替代。預(yù)計(jì)中短期內(nèi)硅基氮 化鎵將在手機(jī)快充充電器...

2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件半導(dǎo)體材料硅基氮化鎵 5.2k 1

淺談氮化鎵技術(shù)應(yīng)用在了哪些方面

氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，上世紀(jì)90年代就已經(jīng)有了氮化鎵的應(yīng)用，這些年來(lái)氮化鎵已經(jīng)成為了全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，被譽(yù)為第三代半導(dǎo)體，其具有更...

2023-02-06 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 4.3k 0

氮化鎵和碳化硅MOSFET應(yīng)用建議以及碳化硅二極管應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅作為寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，具有比傳統(tǒng)硅材料更加優(yōu)異的性能，尤其是用于功率轉(zhuǎn)換和控制的功率器件。與傳統(tǒng)硅器件相比，碳化硅具有禁帶寬度寬、耐高溫、耐...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件碳化硅寬禁帶 4k 0

碳化硅二極管優(yōu)勢(shì)有哪些？

碳化硅二極管的優(yōu)勢(shì) 　 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性 　　寬禁帶材料可提高器件的工作溫度，6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件SiC寬禁帶 1.1k 0

碳化硅和硅相比有何性能優(yōu)勢(shì)

硅早已是大多數(shù)電子應(yīng)用中的關(guān)鍵半導(dǎo)體材料，但與SiC相比，則顯得效率低下。SiC現(xiàn)在已開(kāi)始被多種應(yīng)用采納，特別是電動(dòng)汽車，以應(yīng)對(duì)開(kāi)發(fā)高效率和高功率器件所...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件SiC能源 1.4k 0

從晶體到系統(tǒng)之路：關(guān)于碳化硅的關(guān)鍵的襯底和外延epi分析

由于襯底和外延和芯片的技術(shù)發(fā)展相關(guān)性不是特別大，所以我單獨(dú)把這兩個(gè)流程拿出來(lái)和大家分享，接下來(lái)的芯片技術(shù)發(fā)展比如MOSFET的平面結(jié)構(gòu)或者溝槽結(jié)構(gòu)都是直...

2023-02-02 標(biāo)簽：MOSFET功率器件SiC 4.7k 0

碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及其在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用展望

碳化硅作為一種寬禁帶材料，具有高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，可以實(shí)現(xiàn)高壓、大功率、高頻、高溫應(yīng)用的新型功率半導(dǎo)體器件。該文對(duì)碳化硅功率...

2023-01-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力系統(tǒng)功率器件 4k 0