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功率器件

功率器件

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功率器件,就是輸出功率比較大的電子元器件,像大音響系統(tǒng)中的輸出級功放中的電子元件都屬于功率器件,還有電磁爐中的IGBT也是。本章詳細(xì)介紹了:功率器件定義,功率器件龍頭企業(yè),最新功率器件,分立器件與功率器件,功率器件測試,功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)。

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功率器件技術(shù)

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2019-08-30 標(biāo)簽:晶圓功率器件 8.2k 0

SiC MOSFET的溫度特性及結(jié)溫評估研究進(jìn)展

與 Si 器件相比, SiC 器件具有更加優(yōu)異的電氣性能, 新特性給其結(jié)溫評估帶來了新挑 戰(zhàn), 許多適用于 Si 器件的結(jié)溫評估方法可能不再適用于 Si...

2023-04-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體功率器件 8.2k 0

如何實(shí)現(xiàn)IGBT的軟開關(guān)的應(yīng)用開發(fā)

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2013-01-11 標(biāo)簽:IGBT功率器件 8.2k 2

技術(shù)突破:中國電科46所成功制備4英寸氧化鎵單晶

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由圖可以看出,β-Ga2O3的主要優(yōu)勢在于禁帶寬度,但也存在著不足,主要表現(xiàn)在遷移率和導(dǎo)熱率低,特別是導(dǎo)熱性能是其主要短板。不過,相對來說,這些缺點(diǎn)對功...

2019-03-01 標(biāo)簽:晶圓功率器件氧化鎵 8.1k 0

功率電子技術(shù)在汽車系統(tǒng)中的應(yīng)用

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電子發(fā)燒友網(wǎng): 本文主要講述了汽車系統(tǒng)中的 功率電子技術(shù) 。 摘要: 20世紀(jì)初,電子產(chǎn)品就被運(yùn)用到 汽車系統(tǒng) 中。此外,在20世紀(jì)60年代,隨著固體電...

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SiC功率器件中的失效機(jī)制分析

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SiC 功率 MOSFET 和肖特基二極管正在快速應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換半導(dǎo)體 (PECS) 應(yīng)用,例如電動(dòng)汽車充電和牽引、儲能系統(tǒng)和工業(yè)電源。SiC 功率...

2023-12-15 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體肖特基二極管 8k 0

IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測試解決方案

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2023-03-22 標(biāo)簽:IGBT晶體管參數(shù) 8k 0

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  金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFET)正經(jīng)歷重大改變。業(yè)界采取兩種截然不同的方法來達(dá)到更高效能,首先是經(jīng)由改善硅材料和制程技術(shù),以克服現(xiàn)有產(chǎn)品的...

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雙脈沖測試(DPT)是一種被廣泛接受的評估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例,如下圖,通過調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間...

2024-01-18 標(biāo)簽:電壓功率器件三電平 8k 2

功率集成電路設(shè)計(jì)之結(jié)終端技術(shù)

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通常采用半絕緣多晶硅(Semi-Insulating Polycrystalline Silicon,SIPOS),其兩端分別與器件的兩個(gè)電極相連,因?yàn)?..

2023-11-30 標(biāo)簽:集成電路MOSFET功率器件 7.9k 0

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當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過極限后,芯片最終會損壞,然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。

2024-02-25 標(biāo)簽:MOSFET雪崩擊穿功率器件 7.7k 0

為什么反激電源設(shè)計(jì)的關(guān)鍵是反激電源變壓器?(2)

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2018-08-16 標(biāo)簽:電源功率器件電源變壓器 7.7k 0

SiC功率器件輻照效應(yīng)研究進(jìn)展概述

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隨著微電子技術(shù)日新月異的發(fā)展,作為傳統(tǒng)半導(dǎo)體材料的硅(Si)與砷化鎵(GaAs)在半導(dǎo)體器件中表現(xiàn)出的電學(xué)性能已逐漸接近其理論極限。

2023-12-13 標(biāo)簽:新能源汽車MOSFET功率器件 7.5k 0

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作者簡介趙陽(1991),男,工學(xué)碩士,英飛凌工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施業(yè)務(wù)部門應(yīng)用工程師,主要從事電力電子技術(shù)方面的研究工作。候增全(1997),男,工學(xué)碩士,英...

2026-02-25 標(biāo)簽:功率器件儲能系統(tǒng)電芯 7.5k 0

氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用

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本文重點(diǎn)討論氮化鎵功率器件在陣列雷達(dá)收發(fā)系統(tǒng)中的應(yīng)用。下面結(jié)合半導(dǎo)體的物理特性,對氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)的特點(diǎn)加以說明。

2022-04-24 標(biāo)簽:雷達(dá)功率器件收發(fā)系統(tǒng) 7.4k 0

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    OpenStack是一個(gè)開源的云計(jì)算管理平臺項(xiàng)目,是一系列軟件開源項(xiàng)目的組合。由NASA(美國國家航空航天局)和Rackspace合作研發(fā)并發(fā)起,以Apache許可證(Apache軟件基金會發(fā)布的一個(gè)自由軟件許可證)授權(quán)的開源代碼項(xiàng)目。
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    MMU是中文名是內(nèi)存管理單元,有時(shí)稱作分頁內(nèi)存管理單元,它是一種負(fù)責(zé)處理中央處理器(CPU)的內(nèi)存訪問請求的計(jì)算機(jī)硬件。它的功能包括虛擬地址到物理地址的轉(zhuǎn)換(即虛擬內(nèi)存管理)、內(nèi)存保護(hù)、中央處理器高速緩存的控制,在較為簡單的計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,負(fù)責(zé)總線的仲裁以及存儲體切換。
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Samsung 風(fēng)華高科 WINBOND 長晶科技 晶導(dǎo)微電子 上海貝嶺 KOA Echelon
Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變增益放大器 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
5G m2m DSP MCU ASIC CPU ROM DRAM
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語音識別 萬用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門狗
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