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標(biāo)簽 > 功率mosfet

功率mosfet

功率mosfet

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功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,即MOSFET,其原意是:MOS(Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體),F(xiàn)ET(Field Effect Transistor場(chǎng)效應(yīng)晶體管),即以金屬層(M)的柵極隔著氧化層(O)利用電場(chǎng)的效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體(S)的場(chǎng)效應(yīng)晶體管。

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功率mosfet技術(shù)

車(chē)規(guī)級(jí)N溝道功率MOSFET參數(shù)解析(2)

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2023-08-31 標(biāo)簽:MOSFET參數(shù)N溝道 2k 0

ASDM30N40AE 功率MOSFET — 優(yōu)質(zhì)性能,引領(lǐng)能效革命

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2023-06-05 標(biāo)簽:柵極功率MOSFET 1.8k 0

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    MRAM
    +關(guān)注
    MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。
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