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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件是導(dǎo)電性介于良導(dǎo)電體與絕緣體之間,利用半導(dǎo)體材料特殊電特性來完成特定功能的電子器件,可用來產(chǎn)生、控制、接收、變換、放大信 號(hào)和進(jìn)行能量轉(zhuǎn)換。
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MOSFET的簡述及工作原理及應(yīng)用領(lǐng)域解析
MOSFET是具有源極(Source),柵極(Gate),漏極(Drain)和主體(Body)端子的四端子設(shè)備。通常,MOSFET的主體與源極端子連接,...
電子自旋器件是將自旋屬性引入半導(dǎo)體器件中,用電子電荷和自旋共同作為信息的載體,稱為電子自旋器件,已研制成功的自旋電子器件包括巨磁電阻、自旋閥、磁隧道結(jié)和...
2021-04-02 標(biāo)簽:存儲(chǔ)器電子器件半導(dǎo)體器件 8.1k 0
公司針對不同需求有高性價(jià)比、高可靠性、高速三大系列高壓MOSFET產(chǎn)品,反壓覆蓋200-900V,電流覆蓋0.5-24A。
2021-03-31 標(biāo)簽:LED驅(qū)動(dòng)肖特基二極管半導(dǎo)體器件 1.8k 0
國產(chǎn)電推進(jìn)系統(tǒng)的發(fā)展歷程
那么,電推進(jìn)系統(tǒng)的基本原理是什么,目前中國的電推進(jìn)技術(shù)發(fā)展處于怎樣的階段?相比于傳統(tǒng)的化學(xué)推進(jìn),電推進(jìn)有何長處?稀有氣體與半導(dǎo)體器件在整個(gè)電推進(jìn)系統(tǒng)中分...
2021-03-30 標(biāo)簽:太陽能半導(dǎo)體器件推進(jìn)器 5.2k 0
總投資25億元的捷捷微電高端功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目正式開工
捷捷微電專業(yè)從事半導(dǎo)體分立器件和電力電子元器件的研發(fā)、制造和銷售?,F(xiàn)為江蘇省高新技術(shù)企業(yè)、中國電器工業(yè)協(xié)會(huì)電力電子分會(huì)先進(jìn)會(huì)員單位,是國內(nèi)電力半導(dǎo)體器件...
2021-03-29 標(biāo)簽:芯片功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 5.4k 0
關(guān)于IGBT芯片的簡介與發(fā)展方向及應(yīng)用領(lǐng)域
芯片的種類五花八門,今天跟大家介紹一種與我們的生活息息相關(guān)的芯片IGBT(絕緣柵雙極晶體管 Insulated-gate bipolar transis...
2021-03-19 標(biāo)簽:半導(dǎo)體器件igbt芯片 2.0萬 0
IGCT是在晶閘管技術(shù)的基礎(chǔ)上結(jié)合IGBT和GTO等技術(shù)開發(fā)的新型器件,適用于高壓大容量變頻系統(tǒng)中,是一種用于巨型電力電子成套裝置中的新型電力半導(dǎo)體器件。
2021-03-05 標(biāo)簽:晶閘管功率半導(dǎo)體半導(dǎo)體器件 1.2萬 0
DO-254為機(jī)載電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)保證定義了5個(gè)等級
DO-254主體中的指南(章節(jié)1到11)是為電子硬件設(shè)計(jì)保證等級C所寫的。DO-254通過附錄B提供更高的設(shè)計(jì)保證等級(A和B),包括附加的驗(yàn)證相關(guān)的活...
2021-03-04 標(biāo)簽:電子系統(tǒng)半導(dǎo)體器件DO-254 8.3k 0
Nexperia計(jì)劃提高全球產(chǎn)量并增加研發(fā)支出 滿足不斷增長的功率半導(dǎo)體需求
通過新投資支持全球戰(zhàn)略,滿足不斷增長的功率半導(dǎo)體需求并提升GaN工藝技術(shù); 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布將在2021年度大幅增加制造能力...
2021-02-11 標(biāo)簽:半導(dǎo)體GaN功率半導(dǎo)體 3.2k 0
SOI國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟加入SEMI,成為策略合作伙伴
SOI國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟將繼續(xù)履行其使命,加速SOI行業(yè)的發(fā)展,并為成員帶來新的商機(jī)。
2021-01-14 標(biāo)簽:物聯(lián)網(wǎng)半導(dǎo)體器件醫(yī)療技術(shù) 2.5k 0
溫度變化對半導(dǎo)體器件的影響:構(gòu)成雙極型半導(dǎo)體器件的基本單元P-N結(jié)對溫度的變化很敏感,當(dāng)P-N結(jié)反向偏置時(shí),由少數(shù)載流子形成的反向漏電流受溫度的變化影響...
2021-01-07 標(biāo)簽:熱敏電阻電壓半導(dǎo)體器件 3.9k 0
找出三極管的基極后,我們就可以根據(jù)基極與另外兩個(gè)電極之間pn結(jié)的方向來確定管子的導(dǎo)電類型。將萬用表的黑表筆接觸基極,紅表筆接觸另外兩個(gè)電極中的任一電極...
2021-01-07 標(biāo)簽:三極管管腳半導(dǎo)體器件 9k 0
用二氧化硅(SiO2)來消除邊緣區(qū)域的電場,提高管子的耐壓值。N型基片具有很小的通態(tài)電阻,其摻雜濃度較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層,其...
2020-12-09 標(biāo)簽:半導(dǎo)體肖特基二極管半導(dǎo)體器件 1.4萬 0
先前的研究表明,所謂的量子級聯(lián)激光器可能會(huì)彌合這一鴻溝。這些器件的核心是由具有不同導(dǎo)電率的半導(dǎo)體材料交替層組成的晶圓。當(dāng)帶電時(shí),電子仍被限制在兩個(gè)更具導(dǎo)...
2020-12-07 標(biāo)簽:激光器半導(dǎo)體器件太赫茲 2.7k 0
對于半導(dǎo)體器件而言,航空航天領(lǐng)域的門檻很高,這也讓朝微電子享受了這個(gè)領(lǐng)域發(fā)展的紅利。目前,航空航天主要掌握在科研機(jī)構(gòu)和軍工集團(tuán)下屬單位,隨著國內(nèi)該領(lǐng)域?qū)?..
2020-12-04 標(biāo)簽:產(chǎn)業(yè)鏈半導(dǎo)體器件 2.1k 0
朝微電子實(shí)現(xiàn)逾百項(xiàng)半導(dǎo)體器件國產(chǎn)化
在此背景下,作為一家為軍工集團(tuán)、科研院所提供半導(dǎo)體分立器件和電源的公司,朝陽微電子科技股份有限公司(簡稱“朝微電子”)為升級分立器件/集成電路生產(chǎn)線,朝...
2020-12-03 標(biāo)簽:集成電路ipo半導(dǎo)體器件 2.2k 0
占比最大的半導(dǎo)體出口關(guān)稅究竟有何變化呢?
對半導(dǎo)體器件最關(guān)鍵的硅材料皆從4%的基準(zhǔn)稅率朝零關(guān)稅發(fā)展,而電子工業(yè)用直徑在7.5厘米到30厘米范圍內(nèi)的單晶硅棒只會(huì)降至3%的稅率。對半導(dǎo)體器件封裝材料...
2020-11-30 標(biāo)簽:單晶硅半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體市場 4.3k 0
芯聞精選:發(fā)力碳化硅半導(dǎo)體器件,致瞻科技完成Pre-A輪融資
碳化硅半導(dǎo)體器件供應(yīng)商致瞻科技有限公司獲得Pre-A輪融資。11月20日,毅達(dá)資本在官方微信宣布,已完成對致瞻科技的投資。依托核心團(tuán)隊(duì)10余年的碳化硅功...
2020-11-30 標(biāo)簽:中芯國際半導(dǎo)體器件5G設(shè)備 3k 0
EDA需由點(diǎn)及面突破 國產(chǎn)EDA軟件產(chǎn)業(yè)逐漸實(shí)現(xiàn)點(diǎn)工具從0到1的突破
如今芯片已經(jīng)大步走進(jìn)5nm制程的時(shí)代,在一塊指甲蓋大小的芯片上,要集成上百億顆晶體管,想要在這樣微小的面積上實(shí)現(xiàn)復(fù)雜且精密的布局,EDA工具是其中的關(guān)鍵...
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