太原理工在二維鈣鈦礦激光領域取得重要進展

鈣鈦礦由于具有高光學增益、平衡的載流子遷移率以及可溶液加工等特性，成為一種具有前景光明的激光增益半導體材料。目前，基于鈣鈦礦材料已成功研制出具有高相干性...

2023-04-17 標簽：激光電子器件半導體材料 1.6k 0

五大陶瓷基板材料特性及應用大全

BeO為纖鋅礦型結構，單胞為立方晶系。其熱傳導能力極高，BeO質量分數為99%的BeO陶瓷，室溫下其熱導率（熱導系數）可達310W/(m·K)，為同等純...

2023-04-12 標簽：半導體材料碳化硅陶瓷基板 7.2k 0

硬件基礎，模擬電子經典200問

不是線性的，加上正向電壓時，P區(qū)的空穴與N區(qū)的電子在正向電壓所建立的電場下相互吸引產生復合現象，導致阻擋層變薄，正向電流隨電壓的增長按指數規(guī)律增長，宏觀...

2023-04-06 標簽：電流PN結半導體材料 982 0

光伏發(fā)電小科普

硅料是光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心原材料。 光伏硅料，即太陽能級多晶硅（SoG-Si），是光伏產業(yè)鏈中最上游的原材料，為帶有金屬光澤的灰黑色固體，具有熔點高（14...

2023-04-04 標簽：太陽能光伏發(fā)電半導體材料 2.1萬 0

Kunpeng處理器組織及芯片架構

晶粒(die)是以半導體材料制作而成未經封裝的一小塊集成電路本體，該集成電路的既定功能就是在這一小片半導體上實現。通常情況下，集成電路是以大批方式，經光...

2023-03-24 標簽：處理器集成電路半導體材料 7.3k 0

普通發(fā)光二極管和激光二極管如何區(qū)分

在某些半導體材料的PN結中，注入的少數載流子與多數載流子復合時會把多余的能量以光的形式釋放出來，從而把電能直接轉換為光能。PN結加反向電壓，少數載流子難...

2023-03-17 標簽：發(fā)光二極管PN結半導體材料 1.8k 0

碳化硅晶片的性質及其用途

碳化硅晶片是一種新型的半導體材料，由碳和硅組成，具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。

2023-02-25 標簽：led照明半導體材料紅外探測器 4.2k 0

首次實現二維氮化物基寬禁帶半導體的室溫鐵磁性

二維磁性半導體是一種兼具鐵磁性和半導體性的材料，有望將信息存儲和邏輯運算機集成為一個單元，是下一代低能耗集成電路、自旋電子學與部分自旋量子器件的基礎。

2023-02-22 標簽：集成電路半導體半導體材料 1.4k 0

氮化鎵用途和性質

氮化鎵是一種半導體材料，具有良好的電子特性，可以用于改善電子器件的性能。氮化鎵的主要用途是制造半導體器件，如晶體管、集成電路和光電器件。

2023-02-15 標簽：晶體管半導體材料氮化鎵 4.4k 0

砷化鎵的應用及技術工藝

砷化鎵是一種重要的半導體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，廣泛應用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能，具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩(wěn)定性和高熱導率...

2023-02-14 標簽：電子器件半導體材料砷化鎵 3.9k 0

碳化硅原理及應用

碳化硅是一種半導體材料，它具有優(yōu)異的電子特性，可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的，具有高熔點、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。

2023-02-14 標簽：電子器件半導體材料碳化硅 2.4k 0

氮化鎵技術概念股

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常...

2023-02-13 標簽：激光二極管半導體材料氮化鎵 6k 0

SIC碳化硅SIC二極管器件的作用與發(fā)展趨勢

碳化硅材料以其優(yōu)異的性能被行業(yè)列為第三代半導體材料，其擊穿場強是硅的10倍，熱導率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環(huán)境...

2023-02-09 標簽：半導體材料碳化硅MOS器件 1.6k 0

氮化鎵的應用及如何制備

進入90年代以后，第二代半導體砷化鎵、磷化銦等具有高遷移率的半導體材料逐漸出現，使得有線通訊技術迅速發(fā)展。隨后在本世紀初，碳化硅，氮化鎵等具有寬禁帶的第...

2023-02-06 標簽：半導體材料氮化鎵碳化硅 3.7k 0

什么是硅基氮化鎵？

硅基氮化鎵作為第三代化合物半導體材料，主要應用于功率器件，憑借更小體積、更高效率對傳統(tǒng)硅材料進行替代。預計中短期內硅基氮 化鎵將在手機快充充電器...

2023-02-06 標簽：功率器件半導體材料硅基氮化鎵 5.2k 1