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      標(biāo)簽　>　半導(dǎo)體

      半導(dǎo)體

      半導(dǎo)體

      +關(guān)注335人關(guān)注

      半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

      文章：26660個(gè) 瀏覽：265196次 帖子：1069個(gè)

      半導(dǎo)體技術(shù)

      半導(dǎo)體制造之刻蝕工藝詳解

      半導(dǎo)體制造之刻蝕工藝詳解

      單晶硅刻蝕用來(lái)形成相鄰晶體管間的絕緣區(qū)，多晶硅刻蝕用于形成柵極和局部連線。

      2023-02-13 標(biāo)簽：多晶硅半導(dǎo)體晶體管 1.3萬(wàn) 0

      電子技術(shù)的基本知識(shí)

      電子技術(shù)的基本知識(shí)

      半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種物體。純凈的半導(dǎo)體是四價(jià)元素，呈晶體結(jié)構(gòu)，內(nèi)部原子按一定規(guī)律整齊排列。在高溫或光照下，其電子沖破束縛，成為自由...

      2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體金屬氧化物晶體結(jié)構(gòu) 6.9k 0

      二極管的基本知識(shí)

      二極管的基本知識(shí)

      晶體二極管簡(jiǎn)稱(chēng)二極管，是在本征半導(dǎo)體基片上利用摻雜生成一個(gè)P區(qū)和一個(gè)N區(qū)，并在P區(qū)和N區(qū)安上電極引線，再用外殼(管殼)封裝加固后構(gòu)成的。

      2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝晶體二極管 6.8k 0

      絕緣柵HEMT器件界面固定電荷分析

      絕緣柵HEMT器件界面固定電荷分析

      由于界面固定電荷沒(méi)有充放電效應(yīng)，所以利用回滯曲線或變頻方法無(wú)法提供界面固定電荷信息，平帶電壓VFB漂移是常用的用于計(jì)算界面固定電荷的方法。本文首先結(jié)合能...

      2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體GaNHEMT 3.4k 0

      氮化鎵中鉻含量的二次離子質(zhì)譜分析方法研究

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      二次離子質(zhì)譜是利用質(zhì)譜法分辨一次離子入射到測(cè)試樣品表面濺射生成的二次離子而得到材料表面元素含量及分布的一種方法。二次離子質(zhì)譜儀可以進(jìn)行包括氫在內(nèi)的全元素...

      2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 1.2k 0

      電子設(shè)備中半導(dǎo)體元器件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的變化和熱設(shè)計(jì)

      電子設(shè)備中半導(dǎo)體元器件技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)的變化和熱設(shè)計(jì)

      上一篇大致介紹了半導(dǎo)體元器件熱設(shè)計(jì)的重要性。本文我們希望就半導(dǎo)體元器件的熱設(shè)計(jì)再進(jìn)行一些具體說(shuō)明。近年來(lái)，“小型化”、“高功能化”、“設(shè)計(jì)靈活性”已經(jīng)成...

      2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體元器件電子設(shè)備 2.7k 0

      用熱反射測(cè)溫技術(shù)測(cè)量GaN HEMT的瞬態(tài)溫度

      用熱反射測(cè)溫技術(shù)測(cè)量GaN HEMT的瞬態(tài)溫度

      第三代半導(dǎo)體器件CaN高電子遷移率晶體管（HEMT）具備較高的功率密度，同時(shí)具有較強(qiáng)的自熱效應(yīng)，在大功率工作條件下會(huì)產(chǎn)生較高的結(jié)溫。根據(jù)半導(dǎo)體器件可靠性...

      2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管HEMT 3.4k 0

      氮化鎵技術(shù)是什么意思

      氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)...

      2023-02-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體發(fā)光二極管GaN 4.8k 0

      氮化鎵芯片優(yōu)點(diǎn)

      作為第三代半導(dǎo)體的核心材料之一，GaN其主要有三個(gè)特性——開(kāi)關(guān)頻率高、禁帶寬度大、更低的導(dǎo)通電阻。它在充電器上的優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在：體積小，重量輕；功率密度...

      2023-02-12 標(biāo)簽：電阻半導(dǎo)體GaN 2.3k 0

      硅基氮化鎵用處

      硅基氮化鎵作為第三代化合物半導(dǎo)體材料，主要應(yīng)用于功率器件，可有效縮小功率器件體積，提高功率器件效率，對(duì)傳統(tǒng)硅材料功率器 件進(jìn)行替代。

      2023-02-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件硅基氮化鎵 1.1k 0

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      肖特基二極管的結(jié)構(gòu)原理及作用

      　　肖特基二極管是貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)A為正極，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極，利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬-半導(dǎo)體器件。因?yàn)镹型半導(dǎo)...

      2023-02-12 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體肖特基 2.6k 0

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      　　二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件 。二極管有兩個(gè)電極，正極，又叫陽(yáng)極;負(fù)極，又叫陰極，給二極管兩級(jí)間加上正向電壓時(shí)，二極管導(dǎo)通...

      2023-02-12 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體電極 1.1萬(wàn) 0

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      　　雙極型晶體管是一種流控器件，電子和空穴同時(shí)參與導(dǎo)電。發(fā)射區(qū)摻雜濃度最高，基區(qū)次之，集電區(qū)最小(但和金屬電極接觸處的一小區(qū)域半導(dǎo)體高摻雜，是為了避免形...

      2023-02-12 標(biāo)簽：三極管半導(dǎo)體晶體管 9.2k 0

      硅基氮化鎵的特性及其應(yīng)用有哪些？

      在半導(dǎo)體層面上，硅基氮化鎵的主流商業(yè)化為提高射頻性能敞開(kāi)了大門(mén)，其中包括增加功率放大器的功率密度，以及縮小器件尺寸并最終節(jié)省系統(tǒng)空間。

      2023-02-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率放大器氮化鎵 1.3k 0

      什么是硅基氮化鎵？硅基氮化鎵有哪些突出特性？

      硅基氮化鎵是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體，屬于所謂寬禁帶半導(dǎo)體之列。

      2023-02-12 標(biāo)簽：CMOS半導(dǎo)體硅基氮化鎵技術(shù) 1.8k 0

      伺服驅(qū)動(dòng)器和變頻器兩者有何異同？

      變頻器和伺服驅(qū)動(dòng)器作為傳動(dòng)系統(tǒng)中應(yīng)用最廣泛的驅(qū)動(dòng)設(shè)備，兩者穩(wěn)穩(wěn)地占據(jù)著驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的絕大部分地盤(pán)。

      2023-02-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體變頻器變頻電機(jī) 1.3萬(wàn) 0

      誰(shuí)發(fā)現(xiàn)了氮化鎵半導(dǎo)體材料？這種材料的特性是什么？

      氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導(dǎo)體特性，早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)，寬禁帶半導(dǎo)體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...

      2023-02-12 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵MOCVD 2.4k 0

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      2023-02-12 標(biāo)簽：電流半導(dǎo)體保險(xiǎn)絲 4.4k 0

      具有高居里溫度和強(qiáng)磁晶各向異性的雙極性VSi?As?和VGe?As?單層的預(yù)測(cè)

      浙江工業(yè)大學(xué)王垚老師課題組（第一作者：張金森）采用密度泛函理論和鴻之微Device Studio軟件預(yù)測(cè)出雙極性VSi2As4和VGe2As4單層具有高...

      2023-02-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體磁性材料納米器件 3k 0

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      2023-02-10 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)電源 3.9k 0

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        CD4046
        +關(guān)注
        cD4046是通用的CMOS鎖相環(huán)集成電路，其特點(diǎn)是電源電壓范圍寬（為3V－18V），輸入阻抗高（約100MΩ），動(dòng)態(tài)功耗小，在中心頻率f0為10kHz下功耗僅為600μW，屬微功耗器件。本章主要介紹內(nèi)容有，CD4046的功能 cd4046鎖相環(huán)電路，CD4046無(wú)線發(fā)射，cd4046運(yùn)用，cd4046鎖相環(huán)電路圖。
      • 加速度傳感器
        加速度傳感器
        +關(guān)注
        加速度傳感器是一種能夠測(cè)量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
      • 服務(wù)機(jī)器人
        服務(wù)機(jī)器人
        +關(guān)注
        服務(wù)機(jī)器人是機(jī)器人家族中的一個(gè)年輕成員，到目前為止尚沒(méi)有一個(gè)嚴(yán)格的定義。不同國(guó)家對(duì)服務(wù)機(jī)器人的認(rèn)識(shí)不同。
      • 聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
        聯(lián)網(wǎng)技術(shù)
        +關(guān)注
      • 四軸飛行器
        四軸飛行器
        +關(guān)注
        四軸飛行器，又稱(chēng)四旋翼飛行器、四旋翼直升機(jī)，簡(jiǎn)稱(chēng)四軸、四旋翼。這四軸飛行器（Quadrotor）是一種多旋翼飛行器。四軸飛行器的四個(gè)螺旋槳都是電機(jī)直連的簡(jiǎn)單機(jī)構(gòu)，十字形的布局允許飛行器通過(guò)改變電機(jī)轉(zhuǎn)速獲得旋轉(zhuǎn)機(jī)身的力，從而調(diào)整自身姿態(tài)。具體的技術(shù)細(xì)節(jié)在“基本運(yùn)動(dòng)原理”中講述。
      • SDK
        SDK
        +關(guān)注
        　　SDK一般指軟件開(kāi)發(fā)工具包，軟件開(kāi)發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺(tái)、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時(shí)的開(kāi)發(fā)工具的集合。軟件開(kāi)發(fā)工具廣義上指輔助開(kāi)發(fā)某一類(lèi)軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
      • 基站測(cè)試
        基站測(cè)試
        +關(guān)注
        802.11ac與11基站測(cè)試（base station tests） 在基站設(shè)備安裝完畢后，對(duì)基站設(shè)備電氣性能所進(jìn)行的測(cè)量。n的區(qū)別，802.11n無(wú)線網(wǎng)卡驅(qū)動(dòng)，802.11n怎么安裝。
      • ESP8266
        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時(shí)候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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