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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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ADI公司定制模塊滿足系統(tǒng)供應(yīng)商最具挑戰(zhàn)性的需求
ADI的集成解決方案業(yè)務(wù)于2014年夏季作為Hittite Microwave Corporation收購(gòu)的一部分被收購(gòu)。自1985年公司成立后不久,H...
本節(jié)僅描述硅基半導(dǎo)體的制造;大多數(shù)半導(dǎo)體是硅。硅特別適用于集成電路,因?yàn)樗菀仔纬裳趸锿繉?,可用于?duì)晶體管等集成組件進(jìn)行圖案化。
納米線是一種很長(zhǎng)很細(xì)的納米材料。在技術(shù)術(shù)語(yǔ)中,這意味著它們具有高縱橫比??紤]到這是一個(gè)與傳統(tǒng)電線相似的幾何形狀,它們?cè)陔娮雍图{米電子設(shè)備中具有很大的潛力。
肖特基二極管由金屬到N結(jié)構(gòu)成,而不是由PN半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)成。肖特基二極管也稱為熱載流子二極管,其特點(diǎn)是開(kāi)關(guān)時(shí)間快(反向恢復(fù)時(shí)間短)、正向壓降低(金屬硅結(jié)通常...
什么是控制系統(tǒng)以及如何設(shè)計(jì)DC-DC轉(zhuǎn)換器的控制回路
本文分為三個(gè)部分。前兩部分討論控制系統(tǒng)理論、一般降壓DC-DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)湟约叭绾卧O(shè)計(jì)DC-DC控制環(huán)路。在第三部分中,我們以MAX25206為例,說(shuō)明如...
2022-12-13 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體控制器 3.9k 0
飛行時(shí)間系統(tǒng)設(shè)計(jì)的應(yīng)用概述
這是我們飛行時(shí)間(ToF)系列的第一篇文章,將概述連續(xù)波(CW)CMOS ToF相機(jī)系統(tǒng)技術(shù)及其相對(duì)于機(jī)器視覺(jué)應(yīng)用傳統(tǒng)3D成像解決方案的優(yōu)勢(shì)。后續(xù)文章將...
氮化鎵(GaN)是一種非常堅(jiān)硬、機(jī)械穩(wěn)定的寬帶隙半導(dǎo)體?;贕aN的功率器件具有更高的擊穿強(qiáng)度、更快的開(kāi)關(guān)速度、更高的導(dǎo)熱性和更低的導(dǎo)通電阻,其性能明顯...
綜述:銦砷銻(InAsSb)紅外探測(cè)器的研究進(jìn)展
InAs1-xSbx屬于III-V族化合物半導(dǎo)體合金材料,隨Sb組分含量的不同,室溫下可覆蓋3~12μm波長(zhǎng),并且InAsSb材料具有載流子壽命長(zhǎng)、吸收...
PN結(jié):如下圖所示,N區(qū)電子向P區(qū)擴(kuò)散,P區(qū)空穴向N區(qū)擴(kuò)散。電子空穴相遇,將消失。于是交界處產(chǎn)生由不能移動(dòng)的正負(fù)離子組成的空間電荷區(qū),稱為PN結(jié)、耗盡層。
碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體,可在更高溫度、電壓及頻率環(huán)境正常工作,同時(shí)消耗電力更少,持久性和可靠性更強(qiáng),將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、更...
按照存儲(chǔ)介質(zhì)的不同,現(xiàn)代數(shù)字存儲(chǔ)主要分為光學(xué)存儲(chǔ)器、磁性存儲(chǔ)器和半導(dǎo)體存儲(chǔ)器三類。光學(xué)存儲(chǔ)器包括 CD、DVD 等。磁性存儲(chǔ)器包含磁帶、軟盤、HDD 硬...
目前使用較多的燒結(jié)助劑是 Y2O3-MgO,但是仍不可避免地引入了氧雜質(zhì),因此可以選用非氧化物燒結(jié)助劑來(lái)替換氧化物燒結(jié)助劑,如 YF3-MgO、MgF2...
半導(dǎo)體二極管具有單向?qū)щ娦?,可用于整流、檢波、穩(wěn)定、混頻電路中。
高效的超高壓功率轉(zhuǎn)換設(shè)備(電壓>20kv)需要比硅的能隙大得多的半導(dǎo)體。寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體碳化硅(SiC)已經(jīng)成熟成為電力電子的商業(yè)技術(shù)平臺(tái),...
一文搞懂各種RAM、ROM存儲(chǔ)的異同點(diǎn)
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比,具有數(shù)據(jù)讀寫快、存儲(chǔ)密度高、耗電量少、耐...
基于垂直架構(gòu)的新型二維半導(dǎo)體/鐵電多值存儲(chǔ)器
二維層狀半導(dǎo)體材料得益于原子級(jí)薄的厚度,其受到靜電場(chǎng)屏蔽效應(yīng)大大減弱,利用門電壓可以對(duì)其電學(xué)性能進(jìn)行有效調(diào)控。利用二維層狀半導(dǎo)體材料構(gòu)建的多端憶阻晶體管...
通過(guò)調(diào)節(jié)CoP/CeOx p-n 結(jié)的電子結(jié)構(gòu)提升電化學(xué)析氫性能
大連理工大學(xué)劉立釗老師課題組 0 1 ? 引言 ? 在能源領(lǐng)域,氫能是解決能源危機(jī)的一種重要的清潔能源。從環(huán)保的角度,電解水是制備氫氣的有效途徑。然而,...
2022-11-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電化學(xué)電子結(jié)構(gòu) 3.8k 0
閾值電壓是電子流經(jīng)通道所需的最小電壓。它用V表示千的場(chǎng)效應(yīng)管。此外,當(dāng)導(dǎo)電通道剛準(zhǔn)備連接到晶體管的源極和漏極觸點(diǎn)時(shí),它是柵源電壓的值。這允許大量的電流流...
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