完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
文章:26636個 瀏覽:265090次 帖子:1069個
半導(dǎo)體封測主流技術(shù)及發(fā)展方向分析
近幾年,中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)繼續(xù)維持高速增長態(tài)勢,增長率超過了20%;IC設(shè)計、封測、晶圓制造以及功率器件是為4大推動主力。 其中,封測行業(yè)在過去十多年中,因...
2018年12月6日,致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出瑞昱半導(dǎo)體(Realtek)車用以太網(wǎng)解決方案。 大...
華南師范大學(xué)和北京大學(xué)在(100)硅上開發(fā)了基于氮化鎵(GaN)微絲陣列的紫外(UV)金屬 - 半導(dǎo)體 - 金屬(MSM)探測器。
TiO2薄膜的禁帶寬度為3.23eV。Li4Ti5O12薄膜的禁帶寬度為3.54eV,復(fù)合薄膜的禁帶寬度為3.36eV。相比較而言,復(fù)合薄膜的總體光電轉(zhuǎn)...
超分辨光刻裝備落地,可實現(xiàn)10nm以下的芯片生產(chǎn)
國內(nèi)的半導(dǎo)體芯片對進口依賴非常高,特別是高端的內(nèi)存、閃存、處理器等芯片,國內(nèi)的技術(shù)落后,還不能完全國產(chǎn)替代。國內(nèi)半導(dǎo)體在制造領(lǐng)域是落后最多的,很多人都知...
更便捷生產(chǎn)工藝霍爾開關(guān)芯片-M7101
當一塊通有電流的金屬或半導(dǎo)體薄片垂直地放在磁場中時,薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差,這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應(yīng)。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U,其表達式為U=K...
2018-12-01 標簽:半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)霍爾開關(guān) 5.4k 0
壓力變送器感受壓力的電器元件一般為電阻應(yīng)變片,電阻應(yīng)變片是一種將被測件上的壓力轉(zhuǎn)換成為一種電信號的敏感器件。電阻應(yīng)變片應(yīng)用最多的是金屬電阻應(yīng)變片和半導(dǎo)體...
2018-11-30 標簽:半導(dǎo)體壓力變送器電阻應(yīng)變片 3.9k 0
第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展面臨的機遇和挑戰(zhàn)
第二代半導(dǎo)體材料是指化合物半導(dǎo)體材料,如砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)、磷化銦(InP),以及三元化合物半導(dǎo)體材料,如鋁砷化鎵(GaAsAl)、...
5G帶來廣闊前景的同時,也使得測試日益復(fù)雜化。必須開發(fā)新的技術(shù)來測試5G設(shè)備。需要成本更低的空口測試技術(shù)。
過去十年,是集成電路產(chǎn)業(yè)最好的時光。在智能手機的量大、替換周期短的推動下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有了爆發(fā)性的增長,也冒出來了很多新公司,尤其是中國大陸,在這波潮流的...
可能很多人看過很多資料,可還是不是太了解集成電路,說到集成,那么可能大家會問,到底是什么集成的?什么又是電路呢?小編和大家一起科普一下集成電路是啥?說的...
目前,國內(nèi)外碳化硅功率電子分立器件商業(yè)化產(chǎn)品主要有功率二極管和SiC MOSFET。SiC功率二極管分為肖特基二極管(SBD)、PIN二極管和結(jié)勢壘控制...
華為旗下海思半導(dǎo)體自行開發(fā)的新一代7納米麒麟980系統(tǒng)單芯片
從ChipRebel公布的麒麟980剖面圖,可見左上角部分是配制全新Mali G76MP10 GPU,右上角則是主要CPU配置區(qū),此區(qū)可見海思首次導(dǎo)入的...
深入關(guān)鍵行業(yè)領(lǐng)域,具體對比中美科技實力
半導(dǎo)體可以分為分立器件、光電子、傳感器、集成電路,其中集成電路占比最高,占到2016年全球半導(dǎo)體銷售金額的81.6%。中國目前已經(jīng)成為全球最大的半導(dǎo)體與...
如何通過調(diào)整門極驅(qū)動負壓,來限制SiC MOSFET閾值漂移的方法
由于寬禁帶半導(dǎo)體SiC的固有特征,以及不同于Si材料的半導(dǎo)體氧化層界面特性,會引起閾值電壓變化以及漂移現(xiàn)象。為了理解這些差異,解釋這些差異與材料本身特性...
2018年國內(nèi)十大集成電路設(shè)計企業(yè)有那些詳細介紹
10月23日晚,國內(nèi)一家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究機構(gòu)芯謀研究(ICwise)發(fā)布了《2018上半年中國集成電路設(shè)計產(chǎn)業(yè)研究報告》,其中包含了一份“2018年國內(nèi)十...
本視頻主要介紹了半導(dǎo)體測試設(shè)備,分別有橢偏儀、四探針、熱波系統(tǒng)、相干探測顯微鏡、光學(xué)顯微鏡以及掃描電子顯微鏡。
2018-11-02 標簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體測試 2.8萬 0
隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進步,系統(tǒng)設(shè)計人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐,才能為其設(shè)計挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件,工程師需要深入了解它...
芯片巨頭格羅方德放棄7納米技術(shù)研究中芯會進入7納米的研究中嗎
著名的美國半導(dǎo)體企業(yè)格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司Global Foundries宣布,將放棄未來7納米技術(shù)的研發(fā),這意味著未來參與 7 納米戰(zhàn)局的芯片大廠...
換一批
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
| 電機控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
| BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
| 無刷電機 | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
| 直流電機 | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
| 步進電機 | SPWM | 充電樁 | IPM | 機器視覺 | 無人機 | 三菱電機 | ST |
| 伺服電機 | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
| Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
| 示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
| OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
| C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
| Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
| DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |