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標簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機、電視機以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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電子元件家族當中,有一種只允許電流由單一方向流過,具有兩個電極的元件,稱為二極管,英文是“Diode”,是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的基石。
2023-07-19 標簽:二極管半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管 1.2k 0
華林科納研究化合物半導(dǎo)體中離子注入引起的起泡和薄層分裂現(xiàn)象學(xué)
我們?nèi)A林科納討論了在InP、GaAs、GaN、AlN和ZnO等化合物半導(dǎo)體中氫和/或氦注入引起的表面起泡和層分裂。起泡現(xiàn)象取決于許多參數(shù),例如半導(dǎo)體材料...
現(xiàn)在,發(fā)展迅猛的自動化技術(shù)在我國掀起了熱潮,我們對機器視覺的認識加深,每個人對它的看法發(fā)生了巨變。機器視覺系統(tǒng)讓大批量、持續(xù)生產(chǎn)的自動化程度提高了,大大...
提升高功率半導(dǎo)體可靠性——使用Simcenter通過工業(yè)級熱表征加速測試和故障診斷
內(nèi)容摘要消費和工業(yè)電子系統(tǒng)的能源需求都在增加。因此,電子電力元器件供應(yīng)商和原始設(shè)備制造商(OEM)面臨著提供航空、電動汽車、火車、發(fā)電和可再生能源生產(chǎn)所...
雖然 GaN 器件可實現(xiàn)更高的功率密度,但仍有一些系統(tǒng)級問題需要解決,以實現(xiàn)高度可靠且適銷對路的適配器設(shè)計。正如每個電力電子工程師所知道的那樣,這些以熱...
CLL技術(shù)應(yīng)用于新材料和系統(tǒng)的制造和研究
化學(xué)提升光刻(CLL)是一種減法軟光刻技術(shù),它使用聚二甲基硅氧烷(PDMS)標記來繪制功能分子的自組裝單層,應(yīng)用范圍從生物分子圖案到晶體管制造。在此我們...
CMOS可靠性測試中的電荷泵和交流應(yīng)力技術(shù)解析
對于研究半導(dǎo)體電荷捕獲和退化行為來說,交流或脈沖應(yīng)力對典型的應(yīng)力測試是一個有用的補充。NBTI(負偏置溫度不穩(wěn)定性)和TDDB(隨時間變化的介電擊穿)試...
Aston 質(zhì)譜儀等離子體刻蝕過程及終點監(jiān)測
刻蝕是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一, 上海伯東日本 Atonarp Aston 質(zhì)譜儀適用于等離子體刻蝕過程及終點監(jiān)測 (干法刻蝕終點檢測), 通過持續(xù)...
碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm,其導(dǎo)熱率是硅的3.3倍,為49w/c...
希荻微與普林斯頓大學(xué)合作研究下一代芯粒技術(shù)供電架構(gòu)
來源:《半導(dǎo)體芯科技》雜志 今年2月,一項題為《功率轉(zhuǎn)換電路與電子設(shè)備》的專利(CN202211387831X)獲得授權(quán),其共同專利權(quán)人為廣東希荻微電子...
美國將向Absolics發(fā)放7500萬美元先進芯片封裝補貼
美國商務(wù)部表示,計劃向Absolics撥款7500萬美元,旨在支持Absolics在佐治亞州建造一座12萬平方英尺的工廠,開發(fā)先進封裝技術(shù),為美國半導(dǎo)體...
國產(chǎn)IGBT產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域
國產(chǎn)IGBT的使用已經(jīng)非常成熟了,伴隨著半導(dǎo)體領(lǐng)域的大力發(fā)展,目前國內(nèi)涌現(xiàn)越來越多的優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體企業(yè),飛虹半導(dǎo)體就是其中之一。目前飛虹半導(dǎo)體首發(fā)FHA40...
半導(dǎo)體碳化硅SiC制造工藝CMP后晶圓表面粗糙度檢測
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅(SiC)因其卓越的電導(dǎo)性、熱穩(wěn)定性和化學(xué)穩(wěn)定性而成為制作高功率和高頻電子器件的理想材料。然而,為了實現(xiàn)這些器件的高性能,必須對...
ZnGeP2是一種非線性光學(xué)材料,但是其帶隙內(nèi)存在的較多光吸收峰限制了其應(yīng)用,實驗上認為這些吸收與點缺陷相關(guān)。因此,有必要對ZnGeP2的點缺陷性質(zhì)開展...
大微DW421專為電子霧化器設(shè)計的大功率MEMS硅麥咪頭芯片
大微DW421功率咪頭,廣泛應(yīng)用在電子霧化類設(shè)備的21W大功率集成硅麥咪頭芯片,集成了最新的MEMS硅基膜微機電系統(tǒng)技術(shù),賦予了咪頭更高的靈敏度和穩(wěn)定性...
直接蝕刻和剝離是兩種比較流行的圖案轉(zhuǎn)移工藝。在直接蝕刻工藝中,首先使用光刻技術(shù)對聚合物抗蝕劑進行構(gòu)圖,然后通過干法蝕刻技術(shù)用抗蝕劑作為掩模將圖案轉(zhuǎn)移到襯...
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