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      標(biāo)簽　>　半導(dǎo)體

      半導(dǎo)體

      半導(dǎo)體

      +關(guān)注335人關(guān)注

      半導(dǎo)體（ semiconductor），指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體（conductor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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      半導(dǎo)體技術(shù)

      氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈分析

      隨著技術(shù)的發(fā)展，終端設(shè)備對于半導(dǎo)體器件性能、效率、小型化要求的越來越高，特別是隨著5G的即將到來，也進(jìn)一步推動了以氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材...

      2019-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.2萬 0

      德州儀器集成驅(qū)動器的GaN功率級產(chǎn)品介紹

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      今天，在功率電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）正在取代硅（Si）器件，成為越來越多大功率密度、高能效應(yīng)用場景中的主角。

      2025-10-31 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵GaN 1.2萬 0

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      介紹了晶圓級封裝的基本流程。本篇文章將側(cè)重介紹不同晶圓級封裝方法所涉及的各項(xiàng)工藝。晶圓級封裝可分為扇入型晶圓級芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出...

      2023-11-08 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體散熱 1.2萬 0

      二極管的這些特性，你都知道了解嗎？

      反向恢復(fù)也會引起功耗，這與SiC等新型半導(dǎo)體材料的技術(shù)發(fā)展有關(guān)。有許多不同類型的半導(dǎo)體材料用于二極管，包括GaN和GaAs。它們針對不同的需求而有相應(yīng)的...

      2018-08-31 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體PN結(jié) 1.2萬 0

      半導(dǎo)體氣體傳感器結(jié)構(gòu)特征和工作原理

      氣體傳感器主要有半導(dǎo)體式、接觸燃燒方式、化學(xué)反應(yīng)式、光干涉式、熱傳導(dǎo)式、紅外線吸收散式等。而這當(dāng)中以半導(dǎo)體氣體傳感器應(yīng)用更為廣泛。

      2020-07-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氣體傳感器 1.2萬 1

      碳基電子技術(shù)的進(jìn)展、應(yīng)用與挑戰(zhàn)

      近六十年來，以硅為核心材料的半導(dǎo)體技術(shù)，特別是CMOS集成電路技術(shù)推動了人類信息社會的深刻變革，但也逐漸接近其物理極限和工程極限，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進(jìn)入...

      2022-03-16 標(biāo)簽：集成電路CMOS半導(dǎo)體 1.2萬 0

      非晶硅太陽能電池的特點(diǎn)！非晶硅薄膜太陽電池生產(chǎn)及制造流程

      由于非晶硅沒有晶體所要求的周期性原子排列，可以不考慮制備晶體所必須考慮的材料與襯底間的晶格失配問題。因而它幾乎可以淀積在任何襯底上，包括廉價的玻璃襯底，...

      2019-04-16 標(biāo)簽：太陽能電池半導(dǎo)體光伏 1.2萬 0

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      分子束外延(Molecular beam epitaxy，MBE)是一種在超高真空狀態(tài)下，進(jìn)行材料外延技術(shù)，下圖為分子束外延的核心組成，包括受熱的襯底和...

      2024-01-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管GaAs 1.2萬 0

      薄/厚膜片式電阻器的未來發(fā)展方向

      用于表面安裝技術(shù)的電子元器件包括片式電阻器、片式電容器、片式電感器、片式半導(dǎo)體器件，以及其他片式產(chǎn)品。其中片式電阻器的需求量最大，占整個片式元器件的45...

      2018-08-31 標(biāo)簽：電容器半導(dǎo)體電阻器 1.2萬 0

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      半導(dǎo)體器件、集成電路、光學(xué)器件制作工藝取得了長足進(jìn)步；以下就是幾種干燥技術(shù)的簡單介紹。

      2022-08-17 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶片干燥機(jī) 1.2萬 0

      二極管的分類、選型及選型關(guān)鍵要素

      導(dǎo)讀： 二極管(Diode)算是半導(dǎo)體家族中的分立元器件中最簡單的一類，其最明顯的性質(zhì)就是它的單向?qū)щ娞匦?，就是說電流只能從一邊過去，卻不能從另一邊過來...

      2023-03-22 標(biāo)簽：二極管電流半導(dǎo)體 1.2萬 0

      什么是JFET？什么是MOSFET？JFET和MOSFET的比較

      JFET的全稱為結(jié)型場效應(yīng)晶體管，MOSFET的全稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管。耗盡型MOSFET與JFET均屬于電壓控制型場效應(yīng)晶體管（FET），...

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      芯片的7nm工藝我們經(jīng)常能聽到，但是7nm是否真的意味著芯片的尺寸只有7nm呢？讓我們一起來看看吧！

      2023-12-07 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體晶圓 1.2萬 0

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      增強(qiáng)型MOS管的結(jié)構(gòu)及工作原理

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      2023-02-13 標(biāo)簽：半導(dǎo)體MOS管MOS 1.2萬 0

      什么是PN結(jié)的反向擊穿？PN結(jié)的反向擊穿有哪幾種？

      PN結(jié)的反向擊穿是半導(dǎo)體物理學(xué)中的一個重要概念，它指的是在PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)時，當(dāng)外加的反向電壓增加到一定程度時，PN結(jié)的電流會突然激增，這種現(xiàn)象稱...

      2024-07-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體PN結(jié)雪崩擊穿 1.2萬 0

      氮化鎵mos管的優(yōu)缺點(diǎn)有哪些

      氮化鎵（GaN）MOS管是一種基于氮化鎵材料的金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MOSFET）。它具有許多優(yōu)點(diǎn)和局限性，下面將詳細(xì)介紹這些優(yōu)點(diǎn)和局限性。 優(yōu)...

      2024-01-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOS管 1.2萬 0

      芯片半導(dǎo)體人的元器件基礎(chǔ)知識

      我們一起來看看資料吧！認(rèn)識元器件基礎(chǔ)知識

      2019-07-08 標(biāo)簽：芯片變壓器電路 1.2萬 1

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        IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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        ESP8266
        +關(guān)注
        wifi模塊ESP8266的默認(rèn)波特率是115200，但是單片機(jī)不能達(dá)到那么快的傳輸速率，只能使用4800bps，那么設(shè)置的時候，必不可少的要先用轉(zhuǎn)串口調(diào)試下載器。
      • TMS320F28335
        TMS320F28335
        +關(guān)注
        TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點(diǎn)DSP處理器
      • 靜電防護(hù)
        靜電防護(hù)
        +關(guān)注
        為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進(jìn)行靜電中和等。
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