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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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識(shí)別NPN和PNP三極管是電子學(xué)中的一項(xiàng)基本技能,對(duì)于理解和設(shè)計(jì)電子電路至關(guān)重要。以下將從多個(gè)方面詳細(xì)介紹如何識(shí)別這兩種類型的三極管。
MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的導(dǎo)通電壓...
在網(wǎng)上查了一些關(guān)于 PMOS 和 NMOS 哪個(gè)更適合用于電源開(kāi)關(guān)這種場(chǎng)合,大部分都是從工藝,導(dǎo)通電阻 Rds 來(lái)解釋,但隨著半導(dǎo)體工藝的進(jìn)步,現(xiàn)今...
關(guān)于化合物半導(dǎo)體的應(yīng)用和未來(lái)的發(fā)展分析
隨著電氣化程度的提升,汽車(chē)半導(dǎo)體價(jià)值量也水漲船高。2018年中度混合動(dòng)力汽車(chē)、插電式混合動(dòng)力汽車(chē)和純電動(dòng)汽車(chē)單車(chē)半導(dǎo)體價(jià)值量分別達(dá) 475、740 和 ...
2019-08-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體混合動(dòng)力 9.4k 0
采用TE能量收集系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)熱電能量的收集
在自然環(huán)境和人造環(huán)境中幾乎無(wú)處不在。它們很容易辨認(rèn),因?yàn)樗鼈兺莻€(gè)人不適的根源。我們穿著溫暖,以減少在寒冷的一天損失的身體熱量,而加熱和空調(diào)通過(guò)設(shè)置室...
晶閘管是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,又被稱做可控硅整流器,以前被簡(jiǎn)稱為可控硅;1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第一款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化;晶...
超結(jié)VDMOS的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用
超結(jié)VDMOS是一種發(fā)展迅速、應(yīng)用廣泛的新型功率半導(dǎo)體器件。
2023-09-18 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率半導(dǎo)體工藝技術(shù) 9.3k 0
半導(dǎo)體“碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)”詳解
近年來(lái),基于寬禁帶材料的器件技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅器件的實(shí)際工程應(yīng)用,受到了越來(lái)越廣泛的關(guān)注。相較傳統(tǒng)的硅基器件,碳化硅MOSFET具有較小的導(dǎo)通電阻以...
2025-11-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體柵極驅(qū)動(dòng)碳化硅MOSFET 9.3k 0
透射電子顯微鏡(TEM)具有卓越的空間分辨率和高靈敏度的元素分析能力,可用于先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)中亞納米尺寸器件特征的計(jì)量和材料表征,比如評(píng)估界面細(xì)節(jié)、器件結(jié)...
樂(lè)鑫低成本 IoT 芯片 ESP32-C2 量產(chǎn),支持 Matter 生態(tài)
在全球半導(dǎo)體產(chǎn)能緊缺的大背景下,樂(lè)鑫科技?(688018.SH) 作為芯片設(shè)計(jì)公司,在盡力爭(zhēng)取產(chǎn)能的同時(shí)不斷進(jìn)化產(chǎn)品設(shè)計(jì),讓同等數(shù)量的晶圓能夠產(chǎn)出更多芯...
氮化鎵具有大禁帶寬度、高電子飽和速率、高擊穿電場(chǎng)、較高熱導(dǎo)率、耐腐蝕以及抗輻射性能等優(yōu)點(diǎn),從而可以采用氮化鎵制作半導(dǎo)體材料,而得到氮化鎵半導(dǎo)體器件。 目...
引言 本研究針對(duì)12英寸晶圓廠近期技術(shù)開(kāi)發(fā)過(guò)程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導(dǎo)致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀,然而,包括層間介電...
“半導(dǎo)體”是一種特性介于“導(dǎo)體”和“絕緣體”之間的物質(zhì),前者像金屬一樣導(dǎo)電,后者幾乎不導(dǎo)電。電流流動(dòng)的容易程度與物質(zhì)電阻的大小有關(guān)。如果電阻高,電流很難...
MOS管的參數(shù) MOS管的優(yōu)缺點(diǎn)
MOS管是一種金屬氧化物半導(dǎo)體器件,它由源極、漏極、門(mén)極和金屬氧化物層組成,可以用于放大、濾波、改變頻率、控制電流、控制電壓等。
HVPE主要是利用生長(zhǎng)過(guò)程中的化學(xué)反應(yīng),如歧化反應(yīng)、化學(xué)還原反應(yīng)以及熱分解反應(yīng)等實(shí)現(xiàn)外延晶體薄膜的制備,具有生長(zhǎng)溫度高、源爐通氣量大、生長(zhǎng)速率大的特點(diǎn),...
原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入的相關(guān)原理及其區(qū)別介紹
半導(dǎo)體改變電阻率的方式有三種,原位摻雜、擴(kuò)散和離子注入,這三種方式分別過(guò)程如何,有何區(qū)別呢?
2024-01-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體電阻率MEMS技術(shù) 9.2k 0
三極管,也就是半導(dǎo)體三極管,是一種控制電流的半導(dǎo)體器件,其作用就是吧微弱信號(hào)放大成幅度值較大的電信號(hào),也用作于無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。通常,三極管具有電流放大的作用...
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