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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

半導(dǎo)體

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半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。

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半導(dǎo)體技術(shù)

LPDDR5:滿足應(yīng)用的功耗、性能、帶寬和可靠性要求

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半導(dǎo)體行業(yè)正在嗡嗡作響的新技術(shù)——人工智能 (AI)、機(jī)器學(xué)習(xí) (ML)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車等。– 通過簡化我們的日常生活并顯著提高性能、帶寬以及可靠的數(shù)據(jù)處...

2023-05-26 標(biāo)簽:半導(dǎo)體AIML 7.7k 0

什么樣的電子元件才是車規(guī)級(jí)的器件

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一般的汽車設(shè)計(jì)壽命都在 15 年 20 萬公里左右,遠(yuǎn)大于消費(fèi)電子產(chǎn)品壽命要求。

2021-02-12 標(biāo)簽:半導(dǎo)體汽車電子制動(dòng)系統(tǒng) 7.7k 0

SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu)

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碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表性材料,下圖1展示了SiC的材料優(yōu)勢(shì),相較于 Si,SiC 具有更高的禁帶寬度,使 SiC 器件的工作溫度可達(dá)...

2025-12-05 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 7.7k 0

一文知道半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的真正現(xiàn)狀

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2017年由于內(nèi)存產(chǎn)品的優(yōu)異表現(xiàn),讓整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)呈現(xiàn)出了一片欣欣向榮的景象。2018年下半年,受內(nèi)存產(chǎn)品價(jià)格波動(dòng)、手機(jī)市場(chǎng)以及虛擬貨幣市場(chǎng)的影響,半導(dǎo)...

2019-07-27 標(biāo)簽:半導(dǎo)體半導(dǎo)體市場(chǎng) 7.7k 0

IGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)

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為了更好了解IGBT,下面我們?cè)賮砜纯此膬?nèi)部結(jié)構(gòu):一般,IGBT 有三個(gè)端子:集電極、發(fā)射極和柵極,他們都是附有金屬層。但是,柵極端子上的金屬材料具有...

2023-02-22 標(biāo)簽:半導(dǎo)體IGBT晶體管 7.7k 0

一文詳解2.5D封裝工藝

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2.5D封裝工藝是一種先進(jìn)的半導(dǎo)體封裝技術(shù),它通過中介層(Interposer)將多個(gè)功能芯片在垂直方向上連接起來,從而減小封裝尺寸面積,減少芯片縱向間...

2025-02-08 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體封裝技術(shù) 7.7k 0

十大步驟詳解芯片光刻的流程

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在集成電路的制造過程中,有一個(gè)重要的環(huán)節(jié)——光刻,正因?yàn)橛辛怂?,我們才能在微小的芯片上?shí)現(xiàn)功能。 現(xiàn)代刻劃技術(shù)可以追溯到190年以前,1822年法國人N...

2023-02-16 標(biāo)簽:芯片集成電路半導(dǎo)體 7.7k 0

SiGe外延工藝及其在外延生長、應(yīng)變硅應(yīng)用及GAA結(jié)構(gòu)中的作用

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本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應(yīng)變硅應(yīng)用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)中,隨著器件尺寸的不斷縮小,傳統(tǒng)的硅基材料逐漸難以滿足高...

2024-12-20 標(biāo)簽:半導(dǎo)體工藝SiGe 7.6k 0

芯片封裝熱阻仿真計(jì)算案例

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半導(dǎo)體技術(shù)按摩爾定理的發(fā)展,集成電路的密度將越來越高,且尺寸越來越小。所有芯片工作時(shí)都會(huì)發(fā)熱,熱量的累積必導(dǎo)致結(jié)點(diǎn)溫度的升高,隨著結(jié)點(diǎn)溫度提高,半導(dǎo)體元...

2023-05-10 標(biāo)簽:芯片集成電路半導(dǎo)體 7.6k 0

什么是氮化鎵 氮化鎵電源優(yōu)缺點(diǎn)

什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機(jī)物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管...

2023-11-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體激光二極管氮化鎵 7.6k 0

細(xì)說三極管,最詳細(xì)版本

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晶體三極管,是半導(dǎo)體基本元器件之一,具有電流放大作用,是電子電路的核心元件

2023-01-14 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體電子電路 7.6k 0

集成芯片與芯粒技術(shù)詳解

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隨著信息技術(shù)的飛速發(fā)展,集成芯片和芯粒技術(shù)正在引領(lǐng)半導(dǎo)體領(lǐng)域的創(chuàng)新。集成芯片技術(shù)通過縮小元器件尺寸和提高集成度,實(shí)現(xiàn)了電子產(chǎn)品的微型化和高效能化。與此同...

2024-10-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體系統(tǒng)級(jí)封裝集成芯片 7.6k 0

PVD和CVD無機(jī)薄膜沉積方式大全

濺射鍍膜(Vacuum Sputtering)基本原理是充氬(Ar)氣的真空條件下,使氬氣進(jìn)行輝光放電,這時(shí)氬(Ar)原子電離成氬離子(Ar+),氬離子...

2023-02-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體PVD激光束 7.6k 0

基于JEDEC JEP183A標(biāo)準(zhǔn)的SiC MOSFET閾值電壓精確測(cè)量方法

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閾值電壓 (Vth) 是 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體) 的一種基本的電學(xué)參數(shù)。閾值電壓 (Vth) 為施加到柵極的最小電壓,以建立MOSFET漏極...

2025-11-08 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體SiC 7.6k 0

進(jìn)擊的第三代半導(dǎo)體——碳化硅器件

目前,國內(nèi)外碳化硅功率電子分立器件商業(yè)化產(chǎn)品主要有功率二極管和SiC MOSFET。SiC功率二極管分為肖特基二極管(SBD)、PIN二極管和結(jié)勢(shì)壘控制...

2018-11-13 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體分立器件 7.6k 0

cmos門電路多余輸入端的處理方法

一、引言 CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體)門電路是現(xiàn)代數(shù)字電子系統(tǒng)中廣泛使用的關(guān)鍵組件。它們以其低功耗、高噪聲容限和易于集成等優(yōu)點(diǎn)而著稱。然而,在設(shè)計(jì)C...

2024-07-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體數(shù)字電子組件 7.6k 0

NPN與PNP三極管的區(qū)別

在電子學(xué)和電路設(shè)計(jì)中,三極管(也稱為晶體三極管)是一個(gè)至關(guān)重要的元件,廣泛應(yīng)用于各種電路中以實(shí)現(xiàn)電流放大、開關(guān)控制等功能。三極管按照其半導(dǎo)體材料的不同組...

2024-05-12 標(biāo)簽:三極管半導(dǎo)體NPN 7.6k 0

快恢復(fù)二極管有什么作用

快恢復(fù)二極管(Fast Recovery Diode,簡稱FRD)是一種具有快速反向恢復(fù)特性的高速開關(guān)二極管,它在現(xiàn)代電子工業(yè)中扮演著至關(guān)重要的角色。以...

2024-08-16 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體快恢復(fù)二極管 7.6k 0

準(zhǔn)晶雙層石墨烯研究工作簡單的介紹

伴隨著石墨烯的誕生,這類具有層狀結(jié)構(gòu)的二維材料體系為物理和材料學(xué)家探索新奇物態(tài)和物性提供了一片廣闊的天地。在過去的十年間,一大批各具特色的二維材料層出不...

2018-06-21 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體石墨烯 7.6k 0

二極管的反向恢復(fù)過程是什么

二極管的反向恢復(fù)過程是什么

二極管是一種常用的半導(dǎo)體電子元件,具有單向?qū)щ娦?。?dāng)正向電壓作用于二極管時(shí),二極管導(dǎo)通;當(dāng)反向電壓作用于二極管時(shí),二極管截止。在從導(dǎo)通狀態(tài)切換到截止?fàn)顟B(tài)...

2024-01-12 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體電壓 7.5k 0

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    IoT是Internet of Things的縮寫,字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”,準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)(Internet of Things)又稱傳感網(wǎng),簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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    靜電防護(hù)
    +關(guān)注
    為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞,以及對(duì)生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生,加速靜電泄漏,進(jìn)行靜電中和等。
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