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標(biāo)簽 > 半導(dǎo)體
半導(dǎo)體( semiconductor),指常溫下導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體(conductor)與絕緣體(insulator)之間的材料。半導(dǎo)體在收音機(jī)、電視機(jī)以及測(cè)溫上有著廣泛的應(yīng)用。如二極管就是采用半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制,范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看,半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。
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通過(guò)SPICE仿真軟件加速并改善過(guò)濾器設(shè)計(jì)
仿真已經(jīng)成為設(shè)計(jì)過(guò)程中的一個(gè)重要階段,因?yàn)樗梢宰尮こ處熢谠驮O(shè)計(jì)之前評(píng)估和驗(yàn)證電路行為,防止設(shè)計(jì)缺陷在設(shè)計(jì)鏈中層疊,并有助于設(shè)計(jì)人員在虛擬環(huán)境中提高了...
2019-04-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體運(yùn)算放大器PCB設(shè)計(jì) 6.1k 0
光伏發(fā)電的主要原理是半導(dǎo)體的光電效應(yīng)。當(dāng)光子照射金屬時(shí),其能量可以被金屬中的電子完全吸收。電子吸收的能量足夠大,足以克服金屬的內(nèi)部引力,并從金屬表面逃逸...
隨著半導(dǎo)體行業(yè)的快速發(fā)展,先進(jìn)封裝技術(shù)成為了提升芯片性能和功能密度的關(guān)鍵。近年來(lái),作為2.5D和3D封裝技術(shù)之間的一種結(jié)合方案,3.5D封裝技術(shù)逐漸走向前臺(tái)。
高集成度SAR型ADC AD7656的特性和工作原理及應(yīng)用
美國(guó)模擬器件公司(ADI)發(fā)布了一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體制造工藝,這種工藝技術(shù)是將高電壓半導(dǎo)體工藝與亞微米CMOS和互補(bǔ)雙極型工藝相結(jié)合,并將該工藝命名為iCM...
采用擴(kuò)散電阻技術(shù)的KTY系列硅傳感器的特點(diǎn)及應(yīng)用分析
對(duì)于許多應(yīng)用而言,存在著比傳統(tǒng)熱敏電阻更先進(jìn)的技術(shù),而傳統(tǒng)技術(shù)往往只是因?yàn)橄惹霸O(shè)計(jì)中一直采用而被頻繁使用。
采用LM629和PIC16F877實(shí)現(xiàn)平面關(guān)節(jié)型機(jī)械手的設(shè)計(jì)
LM629是美國(guó)國(guó)家半導(dǎo)體公司生產(chǎn)的可編程全數(shù)字運(yùn)動(dòng)控制芯片,它具有32位的位置、速度和加速度寄存器,內(nèi)置PID算法,其參數(shù)可以修改;支持實(shí)時(shí)讀取和設(shè)定...
2021-03-20 標(biāo)簽:芯片半導(dǎo)體控制系統(tǒng) 6.1k 0
EUV曝光技術(shù)的未來(lái)藍(lán)圖逐漸“步入”我們的視野
技術(shù)節(jié)點(diǎn)的發(fā)展推動(dòng)著半導(dǎo)體曝光技術(shù)解像度(Half Pitch)的發(fā)展,ArF液浸曝光技術(shù)和EUV曝光技術(shù)等的解像度(R)和曝光波長(zhǎng)(λ)成正比,和光學(xué)...
GaN材料由于其所具有的優(yōu)良光電性能,而成為固態(tài)照明、數(shù)字處理、光電器件、功率器件等半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。金屬與半導(dǎo)體接觸可以形成肖特基接觸,...
三極管的定義:一種控制電流的半導(dǎo)體器件(也稱(chēng)半導(dǎo)體三極管、雙極型三極管、晶體三極管)。 其屬于半導(dǎo)體主動(dòng)元件中的分立器件,能以基極電流微小的變化量來(lái)控制...
PN結(jié)的形成 PN結(jié)的導(dǎo)電特性
純半導(dǎo)體的電阻既不是零,也不是無(wú)窮大,故用半導(dǎo)體制作的所有元件和器件通電都會(huì)發(fā)熱,這也是CPU等電子器件發(fā)熱的原因。
晶體管的工作狀態(tài)判斷是電子工程領(lǐng)域中的一項(xiàng)重要技能,它對(duì)于確保電路的正常運(yùn)行和性能優(yōu)化至關(guān)重要。晶體管的工作狀態(tài)通常根據(jù)其內(nèi)部PN結(jié)的偏置情況來(lái)判斷,主...
n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體在導(dǎo)電機(jī)制上有何不同?
n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體之間的主要區(qū)別在于它們的載流子類(lèi)型和濃度。
雪崩擊穿(Avalanche Breakdown)是半導(dǎo)體器件中一個(gè)關(guān)鍵的物理現(xiàn)象,特別是在PN結(jié)二極管和各種類(lèi)型的功率晶體管中。當(dāng)這些器件的反向電壓超...
n型p型半導(dǎo)體與本征半導(dǎo)體相比有什么特點(diǎn)?
本征半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體主要由價(jià)電子和空穴組成。在常溫下,自由電子和空穴的數(shù)量很少,因此它的導(dǎo)電能力比較微弱。另外,本征半導(dǎo)體的載流子濃度與溫度密切相關(guān),...
2023-12-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體載流子本征半導(dǎo)體 6.1k 0
電動(dòng)汽車(chē)的迅速普及加速了電池技術(shù)的創(chuàng)新,其中包括電池管理半導(dǎo)體。其中一個(gè)重要方面是集成,集成可帶來(lái)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、提高安全性和性能等優(yōu)勢(shì)。該領(lǐng)域的新進(jìn)展將有助...
2022-02-21 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)半導(dǎo)體電池 6.1k 0
結(jié)合特定用途的太赫茲器件(如微米級(jí)分辨率探針)以及任務(wù)導(dǎo)向的數(shù)據(jù)分析,太赫茲成像傳感器將成為太陽(yáng)能電池和半導(dǎo)體晶圓元件在非接觸質(zhì)量檢測(cè)和無(wú)損檢測(cè)方面重要的工具。
晶體管是一種半導(dǎo)體器件,泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管、可控硅等。晶體管具有檢波、整流、...
在電子電路的世界里,各種電子元器件扮演著各自獨(dú)特的角色,它們共同構(gòu)成了電子設(shè)備的復(fù)雜網(wǎng)絡(luò)。其中,壓敏電阻作為一種特殊的電子元器件,在電路中發(fā)揮著至關(guān)重要...
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